2SK68AM是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率、高功率密度的电子电路中。这种MOSFET通常采用TO-220AB封装,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。2SK68AM具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和快速开关特性,使其成为高效率设计的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-220AB
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.25Ω @ Vgs=10V
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
2SK68AM MOSFET的特性包括低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其高电流能力(12A)允许在高功率应用中使用,而不会出现显著的电流限制问题。该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在4V至20V之间,这使得它可以与多种驱动电路兼容,包括使用5V电源的微控制器系统。此外,TO-220AB封装提供了良好的散热性能,有助于在高负载条件下维持器件的稳定性。该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了系统响应速度。内部的寄生二极管能够承受一定的反向电流,提供额外的保护功能。2SK68AM的热稳定性较好,可以在较宽的温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车电子应用。
2SK68AM常用于电源管理电路,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关。它在电机控制、LED照明驱动以及电池管理系统中也有广泛应用。由于其高效率和可靠的热性能,该MOSFET也常用于消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统中。例如,在电动车或机器人系统中,2SK68AM可以作为功率开关,控制电机的启停和转速。在太阳能逆变器或储能系统中,它可以用于高效的能量转换和管理。
IRF540N, FQP12N60C, 2SK1172, 2SK2545