时间：2025/9/12 13:41:41
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KF3N50FZ 是一款由Kexin Electronics生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高效率电源管理及功率转换应用。该器件采用了先进的平面技术，提供高雪崩能量和热稳定性，适用于高电流、高电压的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：3A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220、TO-251、TO-92等
KF3N50FZ具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率。该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性。此外，它还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态高压情况下保护电路不受损坏。KF3N50FZ采用多种封装形式，适应不同电路设计需求，便于散热和安装。其高可靠性和稳定性使其在电源适配器、LED驱动、DC-DC转换器、充电器等应用中表现出色。
KF3N50FZ主要用于电源管理、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动、LED照明驱动、电池充电器等电力电子系统中。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于功率因数校正（PFC）电路及高效率电源设计。
2N60、IRF630、2SK2647、2SK1318、FQP3N50C
