类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：LDMOS
　　频率范围：典型工作频率为850-960 MHz
　　输出功率：1700 W（典型值）
　　增益：28 dB（典型值）
　　效率：超过60%
　　电源电压：最大VDS为65 V
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：3
　　热阻：RθJC = 0.12°C/W
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

QM17001TR13-5K是一款高性能射频功率晶体管，采用Qorvo优化的LDMOS工艺技术，使其在高频率下仍能保持出色的功率放大能力。该晶体管具有高输出功率密度，能在850到960 MHz的频率范围内提供高达1700 W的连续波（CW）输出功率，适用于多种高功率射频应用。其增益为28 dB，确保了优异的信号放大能力，同时超过60%的效率降低了能耗和散热需求，提高了系统整体的可靠性。
　　此外，该晶体管具备良好的热管理和耐用性，其热阻仅为0.12°C/W，使器件在高功率操作时保持较低的结温，从而延长了使用寿命。器件封装采用表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB上安装，且适用于自动装配工艺，提高了制造效率。
　　在可靠性方面，QM17001TR13-5K能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。该器件还具备良好的抗过载能力和抗静电放电（ESD）性能，进一步增强了其在实际应用中的稳定性。

QM17001TR13-5K广泛应用于需要高功率射频放大的系统中。其典型应用包括4G/5G移动通信基站的射频功率放大器模块（PAM）、广播发射机、工业和科学射频加热设备，以及医疗射频治疗系统。此外，该晶体管还可用于军事和航空航天领域的高功率射频发射设备，如雷达和通信系统。由于其高效率和良好的热管理性能，它也适用于需要长时间连续运行的工业应用，如等离子体发生器和射频测试设备。

QM17001TR13-5K的替代型号包括Cree/Wolfspeed的CGH40170F和NXP的BLF178XR。CGH40170F是一款基于GaN（氮化镓）技术的射频功率晶体管，工作频率范围与QM17001TR13-5K相似，且输出功率和效率也相当，适用于高性能射频放大应用。BLF178XR是NXP推出的一款LDMOS射频功率晶体管，具有类似的工作频率范围和功率输出能力，适合用于替代Qorvo的QM17001TR13-5K。在选择替代型号时，需确保外围电路（如匹配网络和散热设计）与新器件的特性兼容，以充分发挥其性能优势。