STB76NF75 时间：2025/7/23 20:50:16 阅读：8

STB76NF75是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件专为高电流、高效率应用而设计，适用于需要低导通电阻和快速开关特性的场景，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。STB76NF75采用先进的MESH OVERLAY技术，能够在高电流条件下提供较低的导通损耗，同时具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：76A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：48A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大14mΩ @ Vgs=4.5V
　　功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK、PowerFLAT 5x6等
　　栅极电荷（Qg）：约75nC @10V

特性

STB76NF75具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大为10.5mΩ，适用于高电流应用。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，常温下可支持高达76A的连续漏极电流，即使在较高温度下仍能维持良好的导通性能。
　　该器件采用高性能的MESH OVERLAY技术，增强了导通性能并提高了热稳定性。同时，其坚固的结构设计提供了良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统可靠性。STB76NF75还具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）约为75nC，有助于减少开关损耗，适用于高频操作。
　　封装方面，STB76NF75提供多种封装形式，如TO-220AB、D2PAK和PowerFLAT 5x6，满足不同散热和空间需求。TO-220AB和D2PAK适用于需要良好散热性能的应用，而PowerFLAT则适合空间受限的设计。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等要求严苛的应用场景。

应用

STB76NF75广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中。它常用于DC-DC转换器和同步整流器中，作为主开关元件，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少发热。在电机控制和H桥驱动电路中，该MOSFET能够承受大电流并实现精确控制，适用于工业自动化和机器人系统。
　　此外，STB76NF75适用于电源管理系统，如电池充电器、负载开关和电源管理模块，其高电流能力和良好的热稳定性确保系统在高负载条件下稳定运行。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电机驱动和车身控制模块，满足汽车环境对可靠性和温度范围的严格要求。
　　由于其优异的性能，STB76NF75也可用于服务器和通信设备的电源供应，支持高密度、高效率的电源设计。在LED照明和智能照明控制系统中，该MOSFET可用于调节高功率LED阵列的电流，提供稳定和高效的照明解决方案。