时间：2025/7/11 17:13:54
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IRFR3709ZTRRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）制造的 N 沱道增强型 MOSFET。该器件采用了 Trench 技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
其封装形式为 LFPAK56D（也称为 PowerSO-8），具有较小的尺寸和良好的散热性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号：IRFR3709ZTRRPBF
类型：N 沱道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值，25°C时）：1.2mΩ
Id（连续漏极电流）：141A
Qg（总栅极电荷）：10nC
EAS（雪崩能量）：114mJ
Pd（总功耗）：25W
封装：LFPAK56D（PowerSO-8）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IRFR3709ZTRRPBF 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这使其在高电流应用中表现出较低的传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
同时，该器件拥有快速的开关性能，适合高频应用场合。
Trench 技术的应用进一步提升了器件的单位面积电流承载能力，并降低了寄生电感的影响。
此外，LFPAK56D 封装的设计使其具备出色的热性能和电气连接可靠性，适用于表面贴装工艺（SMD）。
由于其宽泛的工作温度范围，该 MOSFET 可以在极端环境下稳定运行，非常适合工业、汽车以及消费类电子领域。
IRFR3709ZTRRPBF 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关、电机控制、电池管理以及其他需要高效功率转换的场景。
其低 Rds(on) 和高 Id 特性使其成为大电流应用的理想选择，例如服务器电源、电动汽车充电桩、电动工具驱动等。
此外，该器件也常用于 LED 驱动器和太阳能逆变器等新能源相关产品中。
IRFR3710, IRFR3708, FDP5800
