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FDMS0312AS 发布时间 时间:2024/5/24 11:34:47 查看 阅读:156

FDMS0312AS是一种高性能和可靠性的功率场效应晶体管(Power MOSFET),由Fairchild Semiconductor公司生产。它采用了最新的先进的铜带技术和低电阻封装,具有优异的性能和可靠性。该器件设计用于高功率应用,如电源管理和电动汽车等领域。
  FDMS0312AS是一种N沟道MOSFET(NMOS)器件。它通过改变栅极电压控制漏极和源极之间的电流,从而达到对电路的开关控制。当封装好的FDMS0312AS器件正确连接到电路中时,可以通过控制栅极电压来调节电流通路的导通与截断。
  在工作时,通过施加适当的正向偏置,使得栅极电压大于源极电压,此时会形成一个薄的正向偏压层,导致栅极附近的P型衬底与N型沟道相吸引,形成一个导通通道。当外部电路的输入信号对栅极进行调整时,控制电压的变化会导致导通层的长度和电导率发生变化,从而控制漏极和源极之间的电流。

基本结构

FDMS0312AS采用了精确的工艺制造,具有复杂的结构。它包含了多个层次的金属线路和沉积层、绝缘层以及半导体材料。以下是FDMS0312AS的基本结构组成:
  1、栅极(Gate):栅极是控制器件导通性的输入端,它是由金属材料制成的。
  2、漏极(Drain):漏极是电流输入端,电流流向该区域。
  3、源极(Source):源极是电流输出端,电流从该区域流出。
  4、通道(Channel):通道是漏极和源极之间的区域,通过控制栅极电压,可以改变通道的导电特性。
  此外,FDMS0312AS还包括反型沟道(n-channel)结构和一些附加的电气连接结构,以提高器件的性能和可靠性。

参数

- 导通电阻:RDS(ON) = 3.12 mΩ(最大值)
  - 额定电压:VDS = 30 V
  - 额定电流:ID = 230 A
  - 典型输入电容:Ciss = 9600 pF
  - 典型输出电容:Coss = 5400 pF
  - 典型反馈电容:Crss = 290 pF
  - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特点

1、低导通电阻:FDMS0312AS具有非常低的导通电阻,这意味着在导通状态下会有较低的功耗和温升。
  2、高开关速度:该器件具有快速的开关速度,可提高电路的响应速度和效率。
  3、优异的温度特性:FDMS0312AS在广泛的温度范围内都具有稳定的性能,适用于各种环境条件。
  4、可靠性高:经过严格的质量控制和可靠,确保其长时间稳定运行。

工作原理

FDMS0312AS是一种MOSFET器件,工作基于场效应晶体管的原理。在导通状态下,当施加正向偏压至源极(Source)时,通过控制栅极(Gate)上的电压,调控源-漏(Drain)间的电流。通过增大或减小栅极电压,可以有效控制MOSFET的导通和截止,从而实现功率调节。

应用

- 电源管理系统:用于电源开关或DC-DC转换器,具有低功耗和高效率的要求。
  - 电动汽车充电器:用于控制电动车充电系统中的功率转换。
  - 工业自动化设备:用于工控系统、机器人控制等高功率应用。
  - 高频逆变器:用于太阳能发电系统、风力发电系统等可再生能源转换。
  - LED驱动器:用于LED照明应用中的电源控制。

设计流程

FDMS0312AS具有低导通电阻、高负载能力和快速开关速度等特点,适用于各种高频、高压和高温应用。FDMS0312AS的设计流程一般包括以下几个步骤:
  1、设计需求确定:根据实际应用需求,确定FDMS0312AS的基本参数要求,如最大电流、最大功率、负载电压等。
  2、芯片结构设计:根据需求确定FDMS0312AS的内部结构,包括栅极、漏极和源极的布局,以及导通电阻的设计。
  3、材料选择与电路设计:选择适合的材料和工艺,以保证晶体管的性能和可靠性。同时进行电路设计,如驱动电路、保护电路等。
  4、掩膜制作与掩膜刻蚀:利用光刻技术制作晶体管的掩膜图案,并通过刻蚀工艺在硅表面形成导电层。
  5、杂质扩散与离子注入:通过杂质扩散和离子注入技术,在硅表面形成N型和P型的掺杂层,以形成栅极、漏极和源极。
  6、金属化及封装:在芯片表面蒸镀金属,用于连接晶体管的各个引脚。然后进行封装,将芯片放置在适当的封装材料中,以保护晶体管并提供引脚连接。
  7、测试与质量控制:对FDMS0312AS进行严格的测试,包括性能参数测试、可靠 ** 等。同时,确保生产过程的质量控制,以确保每一个产品都符合设计要求。
  通过以上设计流程,FDMS0312AS的高性能和可靠性得以保证。这个过程需要经验丰富的工程师团队和先进的制造设备支持,以确保设计与生产的高水准。

安装要点

在使用FDMS0312AS进行开发时,需要注意以下几个安装要点:
  1、清洁:在安装前确保工作区域干净,没有尘埃、油污或其他杂物。同时,清洁操作者的手指,以防止身体油脂或灰尘对晶体管产生影响。
  2、静电保护:由于晶体管非常敏感于静电放电,因此在处理或安装晶体管时必须严格防止静电。建议使用静电消散器、接地带和抗静电手套等静电保护措施,以减少对器件的静电损害。
  3、接线:按照产品的电路图和引脚定义精确地连接FDMS0312AS。务必正确插入,并确保引脚与PCB焊盘对齐。焊接连接时,应使用适当的焊锡量,并避免过度加热,以免对晶体管造成损伤。
  4、热管理:由于FDMS0312AS可能在工作过程中产生较大的热量,因此需要进行有效的热管理。可以通过散热器、风扇或电子散热工具等方式来确保晶体管的温度在可接受范围内。
  5、绝缘:在安装过程中,如果FDMS0312AS需要与其他电路或设备隔离,应使用绝缘垫片或绝缘胶布进行隔离,以避免电流回馈或不必要的干扰。
  6、注意触摸:避免直接触摸FDMS0312AS的敏感部分。如果必须触摸,务必使用抗静电手套,并尽量减少接触时间,避免因体温和污染物质对器件的影响。
  请注意,以上是一般性的安装要点,具体的安装操作和规范应根据该器件的详细技术规格书和制造商提供的指导进行。

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FDMS0312AS参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)3,000 : ¥2.05889卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?, SyncFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta),22A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)31 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1815 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-PQFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN