类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMP（表面贴装封装）

2SK3889-01S的主要特点之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高频率工作条件下依然能够保持良好的性能。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下稳定运行。其紧凑的SMP封装设计也使得该器件非常适合用于空间受限的应用场景，如便携式电子设备和嵌入式电源系统。
　　在开关性能方面，2SK3889-01S具有快速的开关速度和较低的开关损耗，这使得它非常适合用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。同时，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高系统响应速度。
　　从可靠性角度来看，该MOSFET具备良好的抗静电能力和热保护性能，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。因此，2SK3889-01S不仅适用于工业级电源设备，也可以广泛用于汽车电子、消费类电子产品和通信设备等领域。

2SK3889-01S广泛应用于各种电源管理系统，如高效率DC-DC转换器、电池充电器、负载开关和电机驱动器。由于其高频特性，它也常用于同步整流和功率因数校正（PFC）电路中。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）和车载充电器（OBC）。在工业自动化和控制系统中，它可用于PLC电源模块、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备。
　　此外，该器件也适用于高功率密度的便携式设备电源系统，如笔记本电脑电源适配器、平板电脑电池管理系统和高性能LED照明驱动电路。其紧凑的封装设计和高电流能力也使其成为服务器和数据中心电源模块的理想选择。

Si7466DP, IRF1010E, IPD90N03S4-01, NVTFS5C471NL, FDS4410A