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IS45S16800F-6TLA1-TR 发布时间 时间:2025/9/1 14:15:43 查看 阅读:7

IS45S16800F-6TLA1-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速、低功耗的CMOS异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据总线宽度和8MB的存储容量,采用55引脚TSOP封装,适用于需要高性能和高可靠性的嵌入式系统和工业应用。

参数

容量:8MB
  组织方式:1M x 8 / 512K x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:6ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:55
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步
  数据总线宽度:16位
  工作电流(最大):200mA(典型)
  待机电流:10mA(典型)

特性

IS45S16800F-6TLA1-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速访问时间(低至6ns),能够满足高速缓存和实时系统的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源设计环境,同时具备低功耗特性,在待机模式下仅消耗极小的电流。该芯片支持16位数据总线宽度,适用于多种数据存储应用。其55引脚TSOP封装设计不仅提供了良好的散热性能,也便于在高密度PCB设计中使用。
  此外,该芯片通过了工业级温度范围(-40°C至+85°C)的验证,可在严苛环境下稳定工作,广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子和消费类电子产品中。其异步接口设计无需外部时钟信号,简化了系统设计,同时提高了兼容性和灵活性。ISSI在SRAM领域的技术积累确保了IS45S16800F-6TLA1-TR在性能和可靠性方面的优异表现。

应用

该芯片适用于各种需要高速数据存储和低功耗特性的系统,包括但不限于:嵌入式控制器、工业自动化设备、网络路由器和交换机、汽车电子控制系统、消费类电子产品中的缓存存储器、测试与测量设备、以及通信基础设施。

替代型号

IS45S16800G-6TLA1-TR, IS42S16800F-6TLA1-TR, CY62167EV30LL-45BVXI, IDT71V128SA90pF

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IS45S16800F-6TLA1-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,500 : ¥32.74925卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装54-TSOP II