时间：2025/8/6 1:32:22
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IXST15N120B是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的功率MOSFET器件，采用先进的沟道技术，具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件专为高效率功率转换和高频开关应用设计，适用于电源管理、工业控制、汽车电子等多个领域。IXST15N120B的封装形式为TO-247，便于散热并满足高功率需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（VDS）：1200V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.38Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXST15N120B具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（1200V VDS）使其适用于高压电源转换系统，如AC/DC电源适配器和电机驱动器。其次，低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现高频开关操作，同时减少了开关损耗。
在可靠性方面，IXST15N120B具备优秀的热稳定性和抗短路能力，能够在恶劣环境下稳定运行。其TO-247封装提供了良好的散热性能，适合长时间高负载工作。该器件还内置了快速恢复二极管，有助于提高系统响应速度并减少额外的外部元件需求。
此外，IXST15N120B支持宽范围的栅极驱动电压，通常可在10V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计。这使其在不同的应用环境中具备较高的灵活性。综合来看，IXST15N120B是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高要求的电力电子系统。
IXST15N120B广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、电机控制、不间断电源（UPS）、逆变器以及电动车充电系统。在工业自动化系统中，该器件可用于高频DC/DC转换器，提供高效的电源管理解决方案。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXST15N120B能够有效提升系统的整体能效。由于其高可靠性和耐高压特性，它也常用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器和电驱控制系统。在消费电子领域，该器件可用于高性能电源适配器和LED照明驱动电路，确保稳定高效的电力供应。
IXSH15N120B, IXFP15N120B, STW15N120, FGH15N120
