您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y122KXCBR31G

GA1206Y122KXCBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:21:46 查看 阅读:6

GA1206Y122KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,在保证低导通电阻的同时,也具备了较高的开关速度和优良的热性能。
  此型号属于功率MOSFET家族中的增强型N沟道器件,能够在高频开关条件下提供高效的电能转换,并且在高温环境下也能保持稳定的工作状态。

参数

类型:N沟道MOSFET
  额定电压:600V
  额定电流:12A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关频率:最高支持500kHz
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y122KXCBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,使得其非常适合高频应用场合,同时减少开关损耗。
  3. 高额定电压(600V),能够承受更高的反向电压冲击,增强了器件的可靠性。
  4. 热性能优异,具备良好的散热设计,确保在高负载条件下依然维持稳定的性能。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
  6. 封装形式坚固耐用,易于集成到不同的电路板设计中。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压拓扑。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统的电源管理单元。
  6. 各类高效能电力转换装置,如光伏逆变器、不间断电源 (UPS) 等。

替代型号

IRFZ44N
  STP120N10
  FDP5800

GA1206Y122KXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-