时间：2025/8/9 8:25:17
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2SK3886-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率放大器、电源转换和音频放大器等应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力的特点，适用于需要高效能和高稳定性的电子系统。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：10A
最大功耗(Pd)：150W
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
2SK3886-01MR具备多项优良特性，使其在功率MOSFET领域中具有较高的竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件的漏源耐压（Vds）高达150V，能够适应较高电压的工作环境，确保系统的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET的最大连续漏极电流为10A，适用于中高功率应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、音频功率放大器等。其最大功耗为150W，结合TO-220封装形式，散热性能良好，便于在紧凑的电路设计中使用。
该器件的栅源电压范围为±30V，具有较强的抗电压波动能力，防止因栅极过压导致的损坏。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于多种恶劣工作环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子设备。
值得一提的是，2SK3886-01MR在高频工作条件下仍能保持良好的性能，适用于高频开关电路，如D类音频放大器和高频逆变器。
2SK3886-01MR 主要用于以下应用场景：首先是音频放大器，特别是在高保真功率放大器和D类放大器中，该器件的高电流能力和低导通电阻有助于实现高效能音频输出。其次是电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和稳压电源，其高耐压和低损耗特性有助于提高电源效率。
此外，该MOSFET也可用于电机控制、电池充电器和LED驱动电路。在工业自动化和控制系统中，它能够作为高边或低边开关，控制大功率负载的启停和调速。由于其封装形式为TO-220，便于安装和散热，因此在各类嵌入式系统和电子设备中也有广泛应用。
汽车电子方面，该器件适用于车载电源系统、车载音响系统和电动工具等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车电子的严格要求。
2SK1530, 2SK1058, 2SK214
