10SVPS68M 时间：2025/9/20 20:03:50 阅读：5

10SVPS68M是一款由AVX公司生产的高电压、高电容值的径向引线式多层陶瓷芯片电容器（MLCC），属于其SuperVCap系列。该系列产品专为需要在小尺寸封装内实现高能量密度和低等效串联电阻（ESR）的应用而设计，适用于脉冲功率、能量存储和高电流放电等场景。10SVPS68M的具体型号命名遵循AVX的标准编码规则，其中'10S'代表其物理尺寸类别（接近于EIA 2220封装），'V'表示额定电压等级为200V，'P'为温度特性代码（通常对应于X7R或类似中等稳定的介电材料），'S'可能指代特殊结构或性能增强版本，'68M'则表示标称电容值为68μF，容差为±20%。该器件采用堆叠陶瓷结构和金属化端接技术，能够在有限的空间内提供传统铝电解电容器级别的电容量，同时具备更长的寿命、更高的可靠性以及更好的高频响应性能。此外，由于其无极性设计，特别适合用于交流耦合、去耦滤波和瞬态能量供应场合。

参数

电容值：68μF
　　容差：±20%
　　额定电压：200VDC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X7R（ΔC/C ≤ ±15% from -55°C to +125°C）
　　封装类型：径向引线式，近似EIA 2220尺寸
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ 或 RC ≥ 100 s（取较大者）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值小于10 mΩ（具体取决于测试频率）
　　等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用
　　耐湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　焊接耐热性：符合J-STD-020回流焊规范

特性

10SVPS68M作为一款高性能超级电容型多层陶瓷电容器，具备多项显著优势。首先，其核心材料采用X7R类高介电常数陶瓷介质，在宽温度范围内保持良好的电容稳定性，相较于Z5U或Y5V等材料具有更优的温度和电压系数表现，确保在不同工况下仍能维持可靠的电气性能。
　　其次，该器件通过先进的多层叠片工艺实现了在小型化封装中集成高达68μF的电容量，这在传统MLCC中是难以达到的水平。这种高密度储能能力使其能够替代体积更大、寿命较短的电解电容器，尤其适用于空间受限但要求高能量输出的设计场景。例如，在电源启动电路、闪光灯驱动器或电机控制中的瞬态电流补偿环节，10SVPS68M可以快速充放电，提供所需的峰值功率支持。
　　第三，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这意味着它在高频环境下依然表现出色，能够有效抑制电压波动并减少功率损耗。这一特性对于开关电源、DC-DC转换器和射频功率放大器中的去耦和旁路应用尤为重要，有助于提升系统效率和电磁兼容性（EMC）。
　　此外，10SVPS68M为非极性元件，不存在电解电容常见的极性接反风险，提高了使用安全性与设计灵活性。其固态陶瓷结构也避免了电解液干涸问题，因此拥有更长的工作寿命和更高的环境适应能力，可在高温、高湿及振动环境中稳定运行。最后，产品经过严格的老化测试和可靠性验证，符合AEC-Q200等汽车级可靠性标准，适用于工业、医疗、通信及车载电子等多种高端应用领域。

应用

10SVPS68M广泛应用于对能量密度、响应速度和长期可靠性有较高要求的电子系统中。在工业电子领域，常用于PLC控制器、变频器和伺服驱动器中的中间直流链路支撑电容，用于平滑母线电压波动并在负载突变时提供瞬时能量补给。在医疗设备中，如便携式超声仪或除颤器，该电容器可作为脉冲功率源的一部分，承担高压快速放电任务，保障关键功能的精准执行。
　　在通信基础设施方面，10SVPS68M可用于基站射频模块的去耦网络，有效滤除高频噪声，提升信号完整性。其低ESR特性也有助于降低电源路径上的IR压降，提高功率放大器的工作效率。在消费类电子产品中，尽管成本相对较高，但在高端相机闪光灯、激光测距仪等需要瞬间大电流输出的装置中，该器件展现出不可替代的优势。
　　此外，随着电动汽车和新能源技术的发展，10SVPS68M也被探索用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及电池管理系统（BMS）中的局部储能单元。其宽温工作能力和抗振动特性非常适合严苛的汽车运行环境。同时，在航空航天和军事电子系统中，因其高可靠性和无电解液泄漏风险，成为替代传统电解电容的理想选择。总而言之，凡是需要在紧凑空间内实现高效能量存储与释放、且对寿命和稳定性有严格要求的应用场景，10SVPS68M都具备出色的适用性。