类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗(PD)：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

WST3400S的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，漏源电压额定值为40V，适用于多种中低电压功率转换场合。栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间正常工作，允许使用标准驱动电路进行控制。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗并提高响应速度。其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和机械强度，适合表面贴装工艺，提高了制造效率和系统可靠性。
　　此外，WST3400S通过了AEC-Q101汽车电子认证，适用于汽车应用，如车载充电系统、电机驱动和电池管理系统等。其设计符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子制造。

WST3400S广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池充电器、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
　　在电源管理方面，该器件可用于高性能电源模块的设计，实现高效能的能量转换和分配。其低导通电阻和高电流能力使其成为服务器电源、通信设备电源和工业控制系统中的理想选择。
　　在DC-DC转换器中，WST3400S可以作为主开关器件或同步整流器使用，显著提升转换效率并降低发热。其快速开关特性和低寄生电容也有助于减小电路尺寸并提高响应速度。
　　在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路的开关元件，用于驱动直流电机或步进电机。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了在重载条件下的可靠运行。
　　此外，在汽车电子系统中，WST3400S可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及电动助力转向系统（EPS）等应用，满足对高可靠性和长寿命的严格要求。

STP100N4F6, STP100NF04L, FDP100N40LF, IRLB8743PBF