7283-5548-30 时间：2025/5/7 21:10:12 阅读：11

7283-5548-30是一种高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，能够有效提升电路效率并减少能量损耗。
　　这种MOSFET采用了先进的半导体制造工艺，在保证可靠性和耐用性的同时，也提供了非常高的电流承载能力以及较低的漏源极导通电压，从而使其非常适合于要求高效能转换的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
　　总功耗(Ptot)：150W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

7283-5548-30具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通状态下的功耗，并提高系统整体效率。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用场合。
　　3. 良好的热稳定性设计，确保在高温环境下的可靠运行。
　　4. 内置过流保护功能，增强产品的安全性。
　　5. 大电流处理能力，满足高功率需求。
　　6. 具有优秀的电气特性和机械强度的封装结构，便于散热和安装。
　　这些特点使该MOSFET成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。

应用

7283-5548-30适用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. DC/DC转换器和逆变器的核心组件。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
　　6. 各种需要大电流、高效率功率转换的应用场景。