时间：2025/5/15 13:25:30
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XPC860TCZP50B3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺。该芯片具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电力电子应用场合。
这款器件通常用于高效率、高频开关电源设计中，例如适配器、充电器以及 DC-DC 转换器等场景。
类型：N-Channel MOSFET
耐压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ（典型值）
栅极电荷：40nC（典型值）
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
XPC860TCZP50B3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高频性能优异，适合高速开关应用。
3. 内置反向二极管，有助于降低开关噪声和提升可靠性。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下长期运行。
5. 提供卓越的雪崩能力和抗 ESD 性能，确保在异常条件下的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使得该器件成为众多电力转换与控制应用的理想选择。
XPC860TCZP50B3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电动工具及电机驱动中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器和工业电源模块中的关键组件。
4. 各种 DC-DC 转换器，包括降压和升压电路。
5. 汽车电子设备中的负载开关或保护电路。
其强大的电流承载能力和高效的能量传输特性使其特别适合需要大功率输出的应用场景。
XPC860TCZP50B5,XPC860TCZP50B7,IRF540N
