时间：2025/8/14 3:04:53
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LMBT4401LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的NPN型双极晶体管（BJT），广泛用于通用开关和放大应用。该器件采用小型SOT-23封装，适合表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和高频响应。LMBT4401LT1G 是一款性价比高的晶体管，常用于电源管理、DC-DC转换器、逻辑电路驱动以及信号放大等场合。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：300 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积（fT）：100 MHz
电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为110至800（根据等级不同）
封装类型：SOT-23
LMBT4401LT1G具有多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。
首先，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体取决于等级，这使其能够适应不同的放大需求，提供灵活的设计选择。
其次，LMBT4401LT1G具备较高的开关速度，其增益带宽积为100 MHz，适用于高频开关和放大电路。此外，其SOT-23封装结构紧凑，有助于节省PCB空间，并支持自动化贴片工艺，提升生产效率。
该晶体管的最大集电极电流为300 mA，最大集电极-发射极电压为40 V，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作，适用于多种电源和信号处理应用。
在热性能方面，LMBT4401LT1G的最大工作温度为150°C，具有良好的热稳定性，适合在高温环境下使用。同时，其最大功耗为300 mW，确保在高负载条件下仍能保持良好的性能。
此外，LMBT4401LT1G符合RoHS环保标准，采用无铅封装，符合现代电子产品对环保的要求。
LMBT4401LT1G广泛应用于多个电子领域，适用于多种通用开关和放大电路。
在数字电路中，LMBT4401LT1G常用于晶体管开关，例如在微控制器输出驱动、继电器控制、LED驱动和逻辑电平转换电路中。由于其较高的电流增益和快速开关特性，该晶体管可有效提升系统的响应速度和效率。
在模拟电路中，LMBT4401LT1G可用于信号放大，如音频前置放大器、传感器信号调理电路和RF信号放大器。其100 MHz的增益带宽积使其适合用于中高频信号放大，满足多种通信和信号处理需求。
此外，该晶体管也常用于电源管理应用，例如DC-DC升压/降压转换器、负载开关和稳压器控制电路。其300 mA的最大集电极电流和40 V的最大集电极-发射极电压使其适用于多种中低功率电源控制场景。
在工业控制、消费电子、汽车电子和通信设备中，LMBT4401LT1G也常用于驱动继电器、MOSFET栅极、小型电机和LED显示屏等负载。其SOT-23封装便于集成，同时具备良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。
MMBT4401, BC847, 2N3904, PN2222, LMBT2222ALT1G
