类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：76A
　　最大漏源电压 (VDS)：150V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 22mΩ
　　功率耗散 (PD)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

IXTP76N15T2 的关键特性之一是其极低的导通电阻，通常在 18-22mΩ 之间，这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，采用 TO-247 封装能够有效散热，支持连续高电流运行。其最大漏极电流为 76A，漏源电压为 150V，适用于中高功率的开关应用。
　　另一个重要特性是其快速开关能力，具备短的开关时间和低的开关损耗，适合高频操作。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的能量消耗，提高动态响应速度。此外，该 MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载耐受性，提高了器件在恶劣工作环境中的可靠性。
　　IXTP76N15T2 还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其非常适合用于电机驱动、逆变器和直流电源转换器等应用，这些场合常常会遇到瞬态过载或短路情况。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也增强了其在各种工业环境下的适用性。

IXTP76N15T2 被广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效开关和大电流处理能力的场合。例如，在工业电机驱动器中，它作为功率开关器件，用于控制电机的启停和速度调节，其低导通电阻和高电流容量确保了系统的高效运行。在电源转换器和逆变器中，IXTP76N15T2 可用于 DC-AC 或 DC-DC 转换，实现能量的高效传输和调节。
　　此外，该器件也常用于 UPS（不间断电源）系统，作为主开关元件，确保在主电源故障时能够快速切换至备用电源，维持设备的持续运行。在电池管理系统中，IXTP76N15T2 可用于充放电控制电路，实现对电池组的高效管理与保护。
　　焊接设备也是 IXTP76N15T2 的典型应用之一，其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够在极端工作条件下稳定运行。同时，在太阳能逆变器和电动车充电器等新能源应用中，该 MOSFET 同样表现出色，有助于提高能源转换效率并减少系统损耗。

IXTP80N15T2, IXFN76N15T2, IRFP76N15A, FDPF76N15A