类型：GaN射频功率晶体管
　　工作频率：50 MHz - 6000 MHz
　　输出功率：800 W
　　漏极电压：65 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　输入阻抗：50 Ω
　　封装类型：陶瓷封装
　　增益：23 dB
　　效率：>70%

QL8050-6PTN196C 的关键特性之一是其宽频率范围，使其能够适用于多种射频应用，从广播系统到军用雷达系统。其高输出功率能力（800 W）和高漏极电压（65 V）确保了在高功率条件下稳定运行。
　　该器件采用了 GaN 技术，具有高功率密度和出色的热性能，能够承受严苛的工作环境。此外，其高效率（超过70%）有助于减少系统散热需求，从而降低整体功耗和冷却成本。
　　QL8050-6PTN196C 的输入阻抗为50 Ω，便于与大多数射频系统匹配，同时其陶瓷封装提供了良好的机械稳定性和热传导性能，确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
　　该晶体管还具备高线性度和低失真特性，使其适用于要求高信号完整性的通信系统。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境条件下的稳定性。

QL8050-6PTN196C 主要用于需要高功率放大的射频系统，包括无线基站、广播发射机、雷达系统、测试与测量设备以及工业加热设备。由于其高功率和高效率特性，它也适用于需要长时间连续运行的工业和军事应用。
　　在通信领域，该器件可用于4G/5G基站的射频功率放大器模块，提供高数据传输速率和稳定的信号覆盖。在雷达系统中，它可用于发射机的高功率放大级，以实现远距离探测能力。
　　此外，QL8050-6PTN196C 还可用于医疗设备中的射频能量发生器，以及工业加热和等离子体处理设备中的射频电源模块。

QPD1010, CGH40082, HMC1099