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AONS66908 发布时间 时间:2025/6/3 18:35:02 查看 阅读:4

AONS66908 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效功率转换的应用场景,例如服务器、通信电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等。其出色的开关性能和热特性使其成为高性能功率管理的理想选择。
  该芯片的工作电压范围为 25V 至 40V,并且具有极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关条件下保持较低的功耗和较高的效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:137A
  导通电阻:0.75mΩ
  栅极电荷:107nC
  输入电容:4800pF
  总功耗:230W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AONS66908 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力(高达 137A),适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,提高高频操作下的效率。
  4. 强大的热性能设计,确保在高温环境下长期稳定运行。
  5. TOLL 封装提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

AONS66908 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机驱动和逆变器控制。
  2. 数据中心和通信设备中的高效电源转换。
  3. 高功率密度 DC-DC 转换器。
  4. 电动车及混合动力汽车中的电力电子模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 各种需要高效功率管理的工业和消费类电子产品。

替代型号

AONS66909
  AONS66808

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AONS66908参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.99634卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Ta),158A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)97 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5117 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线