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CY62256NLL-70SNXC 发布时间 时间:2025/11/4 7:01:34 查看 阅读:13

CY62256NLL-70SNXC是一款由Infineon Technologies(在收购Cypress Semiconductor后继承其产品线)生产的高性能32K x 8位CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的CMOS技术制造,旨在提供低功耗与高速访问的完美结合,适用于需要快速数据存取且对功耗敏感的应用场景。CY62256NLL-70SNXC的工作电压范围为2.7V至3.6V,属于低压SRAM产品系列,适合嵌入式系统、便携式设备和工业控制等应用。其封装形式为44引脚SOJ(Small Outline J-leaded Package),具备良好的散热性能和机械稳定性,能够在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定运行。该芯片无需刷新操作,简化了系统设计,并提高了数据可靠性。此外,它支持标准的异步SRAM接口,易于与各种微控制器、微处理器和数字信号处理器集成。CY62256NLL-70SNXC广泛应用于网络设备、电信基础设施、医疗仪器以及消费类电子产品中,作为临时数据缓存或程序运行内存使用。

参数

制造商:Infineon Technologies
  产品系列:CY62256NLL
  存储容量:256 Kbit
  存储结构:32K x 8
  供电电压:2.7V ~ 3.6V
  访问时间:70 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装/外壳:44-SOJ
  接口类型:并行异步
  读写模式:异步SRAM
  待机电流(最大值):20 μA(典型值)
  工作电流(最大值):25 mA
  组织方式:32,768 字 x 8 位
  引脚数:44
  数据保持电压:2.0 V
  数据保持电流:
  1 μA(典型值)

特性

CY62256NLL-70SNXC具备多项关键特性,使其成为工业和通信领域中可靠的存储解决方案。首先,其70纳秒的快速访问时间确保了在高频率操作下的高效数据传输能力,能够满足实时处理系统对延迟的严格要求。这使得该SRAM非常适合用于需要频繁读写操作的数据缓冲区,例如在网络路由器中的数据包暂存或工业PLC中的状态寄存器备份。其次,该器件采用了低功耗CMOS工艺,在正常工作模式下仅消耗约25mA电流,而在待机模式下可降至20μA以下,显著延长了电池供电设备的续航时间。这种动态与静态功耗的平衡设计,使它在便携式医疗设备、手持终端和远程监控系统中表现出色。
  此外,CY62256NLL-70SNXC具有出色的数据保持能力。当系统进入低功耗休眠模式时,只要维持最低2.0V的供电电压,即可实现数据非易失性保存,电流消耗低于1μA。这一特性对于需要长时间保存关键运行参数或配置信息的应用至关重要,避免了因断电导致的数据丢失问题。同时,该芯片具备高抗干扰能力和宽温工作范围(-40°C至+85°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,增强了系统的整体可靠性。
  从系统集成角度来看,CY62256NLL-70SNXC采用标准的并行异步接口,兼容多种主流微处理器架构,无需复杂的驱动程序或协议转换电路,降低了开发难度和BOM成本。其44引脚SOJ封装不仅提供了足够的I/O带宽,还便于PCB布局布线,并支持波峰焊和回流焊等多种装配工艺,提升了生产良率。最后,该器件通过了严格的工业级认证,符合RoHS环保标准,适用于对长期供货稳定性和合规性有高要求的项目。

应用

CY62256NLL-70SNXC广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在工业自动化中,常被用作可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)和运动控制卡的数据缓存单元,用于临时存储I/O状态、运算中间值和报警日志,保障控制系统响应速度与稳定性。在通信设备方面,该SRAM常见于交换机、路由器和基站模块中,承担数据包缓冲、队列管理和协议处理任务,支持高速数据吞吐和低延迟转发。此外,在医疗电子设备如监护仪、便携式超声仪和血糖分析仪中,CY62256NLL-70SNXC用于存储患者测量数据、设备配置参数和操作记录,确保在突发断电情况下仍能保留关键信息。
  消费类电子产品也是其重要应用场景之一,包括智能电表、POS终端、安防摄像头和智能家居网关等。在这些设备中,该SRAM通常配合主控MCU使用,提升程序执行效率,减少Flash频繁擦写带来的磨损。在汽车电子领域,尽管并非车规级器件,但在车载诊断工具(OBD-II)、行车记录仪和车载信息终端中也有广泛应用,用于实时视频帧缓存或传感器数据采集缓冲。
  此外,由于其稳定的性能和较长的产品生命周期,CY62256NLL-70SNXC也常被选用于军事与航空航天领域的非关键子系统中,如地面测试设备、遥测数据采集单元和导航辅助装置。总体而言,凡是需要高速、低功耗、可靠且无需刷新的存储功能的场合,该芯片都是一个成熟且值得信赖的选择。

替代型号

IS62WVS2568BL-70NLI

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CY62256NLL-70SNXC参数

  • 标准包装27
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装28-SOIC
  • 包装管件
  • 其它名称428-2039-5CY62256NLL-70SNXC-ND