XPC8260ZU200A 时间：2025/5/10 9:02:25 阅读：18

XPC8260ZU200A 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。
　　该芯片特别适用于对效率和散热性能要求较高的场合，其优化的封装设计能够有效降低寄生电感和热阻，从而提高整体系统性能。

参数

型号：XPC8260ZU200A
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：200V
　　Rds(on)（导通电阻）：0.04Ω（典型值，@Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：30A
　　Qg（栅极电荷）：50nC
　　fsw（最大开关频率）：1MHz
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高达1MHz的工作频率，满足高频应用需求。
　　3. 优异的热性能表现，具备较低的热阻，确保长时间稳定运行。
　　4. 内置ESD保护电路，增强器件的抗静电能力，提高可靠性。
　　5. 支持宽范围的工作电压和大电流输出，适应多种功率电子应用场景。
　　6. 环保无铅设计，符合RoHS标准，适合绿色产品开发需求。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关应用。
　　3. 工业及消费类电机驱动器的功率级组件。
　　4. 电池管理系统中的负载切换和保护功能。
　　5. LED照明驱动电路中的关键功率控制部件。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换模块。