电容值：2.2pF
　　额定电压：50V
　　电容容差：±1.0pF
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流偏压特性：无显著容量下降
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　等效串联电感（ESL）：极低
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 C×V ≥ 1000MΩ·μF
　　耐焊接热性：符合JIS C 60068-2标准
　　可靠性：高稳定性和长寿命

UMV1H2R2MFD所采用的C0G（也称为NP0）介质材料是一种具有极高温度稳定性的陶瓷材料，其电容值在整个工作温度范围内几乎不随温度变化而改变，典型温度系数为0±30ppm/°C，确保了在各种环境条件下电性能的高度一致性。这种材料还表现出极低的介电损耗，即损耗角正切（tanδ）非常小，通常低于0.1%，这使得该电容器特别适合用于对信号完整性要求极高的射频（RF）电路、振荡器、滤波器和定时电路中。由于其电容值不受电压、频率和时间的影响，因此在精密模拟电路中可作为理想的稳定元件使用。
　　该器件的结构设计优化了高频响应性能，具备极低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而有效提升了其自谐振频率（SRF），使其能够在GHz级别的高频范围内保持良好的电容行为，适用于高速数字电路中的去耦和噪声抑制应用。同时，其微型0402封装（1.0mm × 0.5mm）不仅节省空间，还能减少寄生效应，进一步提升高频性能。
　　在可靠性方面，UMV1H2R2MFD经过严格的质量控制流程生产，具备出色的抗机械应力和热冲击能力，能够承受多次回流焊过程而不影响性能。此外，该产品符合AEC-Q200等可靠性标准的部分要求，适用于汽车电子以外但对稳定性有一定要求的工业级应用场景。其优异的绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于高阻抗电路和采样保持电路中。整体而言，这款电容器结合了高稳定性、小尺寸和优良高频特性，是高性能电子系统中关键位置的理想选择。

该电容器广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中，尤其是在射频（RF）模块、无线通信设备、智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块和GPS接收器中用于匹配网络、滤波器和谐振电路的设计。其稳定的C0G特性使其成为LC振荡电路中的首选元件，能够确保频率稳定性，避免因温度漂移导致的信号偏移。此外，在高速数字系统中，如FPGA、ASIC和微处理器的电源管理单元中，该电容器常被用作高频去耦电容，放置于电源引脚附近以滤除高频噪声，维持电源电压的稳定。
　　在精密模拟电路中，例如运算放大器的反馈回路、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路等场合，UMV1H2R2MFD因其电容值不随电压或温度变化而变化的特性，能够保证电路参数的一致性和测量精度。它也被广泛用于传感器信号调理电路、医疗电子设备和测试测量仪器中，这些应用对长期稳定性和可靠性要求较高。
　　此外，在汽车电子外围设备、工业控制系统、PLC模块、电源转换器（如DC-DC变换器）的反馈环路中，该电容器同样发挥着重要作用。尽管其额定电压仅为50V，限制了其在高压场景下的使用，但在低压、高精度、高频的应用中表现卓越。随着电子产品向小型化、高频化发展，此类高性能0402尺寸C0G电容器的需求持续增长，已成为现代电子设计中的基础元件之一。

GRM1555C1H2R2DD01D
　　CC0402JRNPO9BN2R2
　　CL2010NG0J2R2DB