时间：2025/9/5 15:30:46
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LTL1CHJFDNN 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具备良好的导通电阻和热稳定性。LTL1CHJFDNN采用紧凑型封装，适用于空间受限的电子设备，是现代电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（典型值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP（表面贴装封装）
LTL1CHJFDNN具有低导通电阻特性，有助于降低导通损耗，提高整体效率。其低RDS(on)在高电流负载下尤为关键，可以有效减少发热，提升系统稳定性。
该MOSFET支持高频率开关操作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及同步整流电路等高频应用。
其栅极驱动电压范围较宽（支持4.5V至10V），可兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
封装设计紧凑，符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能在较高温度下保持稳定性能，适用于工业级和消费类电子产品。
LTL1CHJFDNN广泛应用于各类电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的DC-DC转换器。
它也适用于电机驱动、LED驱动器、电池管理系统以及负载开关控制等场景。
在工业自动化和嵌入式系统中，该MOSFET可用于高效能电源模块、电源管理IC（PMIC）配套电路以及功率控制电路。
由于其高频特性，LTL1CHJFDNN也适用于无线充电、USB PD电源管理等新兴应用。
RCE30N10LA|R6004JN|FDMS86101
