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LTL1CHJFDNN 发布时间 时间:2025/9/5 15:30:46 查看 阅读:4

LTL1CHJFDNN 是一款由罗姆(Rohm)半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频开关应用,具备良好的导通电阻和热稳定性。LTL1CHJFDNN采用紧凑型封装,适用于空间受限的电子设备,是现代电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):17mΩ(典型值,@VGS=10V)
  功率耗散(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOP(表面贴装封装)

特性

LTL1CHJFDNN具有低导通电阻特性,有助于降低导通损耗,提高整体效率。其低RDS(on)在高电流负载下尤为关键,可以有效减少发热,提升系统稳定性。
  该MOSFET支持高频率开关操作,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及同步整流电路等高频应用。
  其栅极驱动电压范围较宽(支持4.5V至10V),可兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。
  封装设计紧凑,符合RoHS环保标准,适合自动化贴片生产,适用于高密度PCB布局。
  此外,该器件具备良好的热稳定性,能在较高温度下保持稳定性能,适用于工业级和消费类电子产品。

应用

LTL1CHJFDNN广泛应用于各类电源管理系统,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的DC-DC转换器。
  它也适用于电机驱动、LED驱动器、电池管理系统以及负载开关控制等场景。
  在工业自动化和嵌入式系统中,该MOSFET可用于高效能电源模块、电源管理IC(PMIC)配套电路以及功率控制电路。
  由于其高频特性,LTL1CHJFDNN也适用于无线充电、USB PD电源管理等新兴应用。

替代型号

RCE30N10LA|R6004JN|FDMS86101

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