时间：2025/5/6 18:37:36
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TIBPAL16R4-12M 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用场景设计。它采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于各种电源转换应用，如 DC-DC 转换器、无线充电设备及电机驱动等。
该器件通过优化栅极驱动设计以减少开关损耗，并提供卓越的效率表现。此外，其封装形式经过专门设计以确保良好的散热性能，从而提升整体系统可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
TIBPAL16R4-12M 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸并进一步提高功率密度。
3. 内置反向恢复电荷极低的体二极管，可减少死区时间内的能量损失。
4. GaN 技术使得器件具备更高的击穿电压和更佳的热稳定性。
5. 紧凑型封装设计便于集成到各类复杂电路中，同时保持优异的散热能力。
6. 提供增强的安全工作区域（SOA），能够在宽泛条件下稳定运行。
TIBPAL16R4-12M 广泛应用于多个领域：
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 无线充电发射端
3. LED 照明驱动
4. 服务器和通信设备中的电源管理
5. 消费类电子产品的快充适配器
6. 工业级电机驱动与控制
7. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块
TIPAL16R4-12M, TIBPAL18R4-12M
