类型：MOSFET模块
　　最大漏极电压(Vdss)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：412A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值约为3.5mΩ
　　栅极驱动电压：+15V/-15V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TV package
　　安装方式：螺钉安装
　　绝缘等级：加强绝缘
　　短路耐受能力：具备
　　热阻(Rth-jc)：约0.18K/W

XN1E-TV412Q4MR MOSFET模块具有多项卓越的技术特性。
　　首先，其高耐压能力和大电流处理性能使其非常适合用于高压直流转换器、逆变器以及电机控制等工业电力系统中。高达1200V的漏极-源极击穿电压确保了在高电压环境下依然能够安全稳定地工作。
　　其次，该模块的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。这在高负载工况下尤为重要，有助于降低发热并提升能量利用率。
　　此外，XN1E-TV412Q4MR具备良好的短路保护能力，可在短时间内承受过载电流而不损坏，增强了设备的安全性和可靠性。
　　模块还采用增强型绝缘封装设计，提供了更高的电气隔离度，适用于对安全性要求严格的场合，如电源供应器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等领域。
　　其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)保证了即使在极端环境条件下也能保持稳定的性能表现。
　　最后，标准化的TV封装形式与简便的螺丝固定安装方式，使用户可以轻松集成到现有电路板布局中，并简化维护过程。

由于XN1E-TV412Q4MR的高性能和高可靠性，它广泛应用于多个领域。
　　在工业自动化方面，它可以作为大功率电机驱动器的核心元件，实现高效的电能转换与控制。
　　在新能源领域，该模块常被用作光伏逆变器或风力发电变流器中的关键功率开关器件，以提高可再生能源系统的效率。
　　对于交通运输行业，尤其是在电动汽车(EV)充电基础设施建设中，这款MOSFET模块可用于构建快速充电桩内部的DC/AC或者DC/DC变换电路，满足日益增长的清洁能源车辆需求。
　　另外，在医疗成像设备、实验室仪器以及其他精密仪器仪表中，XN1E-TV412Q4MR也扮演着重要角色，为这些敏感电子装置提供干净且稳定的电源供应。
　　除此之外，该产品还可以用于工业加热系统、焊接机、UPS不间断电源以及其他需要高效率功率管理解决方案的应用场景。

XN1E-TW412Q4MR, XN1E-TV412Q4CR