类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：96A
　　最大漏-源电压（Vds）：250V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 25mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

IXTC96N25T的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，如DC-DC转换器和逆变器中，这种低Rds(on)可以显著减少功率损耗和发热。此外，该MOSFET具备高达250V的漏-源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于中高压系统。
　　另一个显著特点是其高电流处理能力，连续漏极电流可达96A，使其适用于高功率负载的控制。同时，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于苛刻的工业环境。
　　IXTC96N25T采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保长时间高负载工作下的稳定性。其栅极驱动电压范围为10V至20V，兼容常见的MOSFET驱动器，简化了电路设计。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部元件的尺寸并提高整体系统效率。此外，内置的体二极管可提供反向电压保护，适用于感性负载的应用场景。

IXTC96N25T因其高耐压、大电流和低导通电阻，广泛应用于多种高功率电子系统中。例如，在电源管理系统中，它被用于构建高效的DC-DC转换器和同步整流器，以提升能源利用效率。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于电机驱动和继电器控制，实现对高功率负载的精确控制。
　　在电池充电器和储能系统中，IXTC96N25T常用于高频开关拓扑结构中，如升压（Boost）或降压（Buck）变换器，以实现高效的能量转换。在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该器件也经常被用作主开关器件，负责将直流电转换为交流电输出。
　　此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的电机控制系统等。其高可靠性和良好的热性能使其能够在复杂的电磁环境和高温条件下稳定工作。
　　由于其优异的开关性能和耐久性，IXTC96N25T也被广泛应用于LED照明驱动器、电焊机和工业加热设备等高功率应用中。

IXFN96N25T, IRFP4668, FDPF96N25, STP96NF25