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H8MBX00U0MER-0EM 发布时间 时间:2025/9/2 6:59:53 查看 阅读:9

H8MBX00U0MER-0EM 是现代(Hyundai)半导体公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动设备用低功耗内存(LPDRAM)系列,主要用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和其他需要高效能和低功耗内存的嵌入式系统。

参数

容量:1Gb
  类型:DRAM
  封装:BGA
  工作电压:1.8V
  数据速率:166MHz / 200MHz
  接口类型:并行接口
  组织结构:x16

特性

H8MBX00U0MER-0EM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,适用于需要高效数据处理的便携式电子产品。其主要特性包括:
  ? 低功耗设计:该芯片采用低电压(1.8V)供电,显著降低功耗,延长设备电池寿命。
  ? 高容量:1Gb的存储容量适合运行现代操作系统和应用程序。
  ? 高速存取:支持166MHz或200MHz的时钟频率,提供快速的数据访问速度,满足高性能处理器的需求。
  ? 移动优化:封装形式为BGA(球栅阵列),体积小,散热性能好,适合移动设备的紧凑设计要求。
  ? 并行接口:采用x16位宽的并行接口,提升数据传输效率,适用于需要高带宽的应用场景。
  ? 稳定性高:经过严格测试,适用于高温和高湿度环境,保证设备运行的稳定性。

应用

H8MBX00U0MER-0EM 主要用于以下设备:
  ? 智能手机和平板电脑
  ? 嵌入式系统
  ? 工业控制设备
  ? 移动计算设备
  ? 便携式游戏设备

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