PBYR1035 时间：2025/9/14 7:38:51 阅读：5

PBYR1035 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管，广泛用于射频（RF）和高速开关应用。该晶体管采用 SOT-23 封装，具有优良的高频性能和较低的噪声系数，适用于无线通信、功率放大、低噪声放大器（LNA）等高频电路设计。

参数

晶体类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：在 Ic=2 mA 时，典型值为 110（hFE 分级：O 级）
　　噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值，1 GHz）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PBYR1035 是一款高频 NPN 晶体管，其核心优势在于其优异的高频性能和低噪声特性。它在 250 MHz 的过渡频率下表现出良好的增益带宽积，适用于需要高频放大的应用，例如射频前端电路和中频放大器。该晶体管的噪声系数低至 0.5 dB，在 1 GHz 频率下仍保持良好的噪声性能，非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计。
　　此外，PBYR1035 采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高密度 PCB 设计。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，使其在中等功率放大应用中表现出色。该晶体管的 hFE（电流增益）在 2 mA 下典型值为 110，具有良好的线性度和稳定性，适合用于模拟和射频信号放大。
　　在可靠性方面，PBYR1035 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在恶劣环境下稳定工作。其封装结构还具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力，适合用于汽车电子、工业控制和通信设备等高要求应用。