时间：2025/12/25 6:40:16
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MTY100N10E是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性。该器件广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。
类型：N沟道
最大漏极电流：100A
最大漏源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：≤8.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压：2.0-4.0V
最大功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
MTY100N10E的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。这种MOSFET在设计上优化了开关性能，使其非常适合用于高频开关电路，从而减小了外部电感和电容的尺寸，降低了整体系统的成本和体积。
此外，MTY100N10E采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，使得在高负载条件下仍能保持稳定的工作状态。该器件的高耐压能力（100V）使其能够适应各种恶劣的工作环境，同时提供了更高的安全裕量。
MTY100N10E的栅极驱动要求相对较低，可以在较宽的栅极电压范围内正常工作（典型值为10V），这使得其与常见的驱动IC兼容性良好。同时，其较低的栅极电荷（Qg）也进一步降低了驱动损耗，提高了动态响应能力。
在可靠性方面，MTY100N10E通过了严格的工业标准测试，具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在短时过载或异常工况下保持稳定运行。
MTY100N10E主要应用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及工业控制设备中。该器件特别适合需要高电流能力和高效率的场合，如服务器电源、通信设备电源模块以及电动车充电系统等。
SiHF100N10E、IPW100N10S2-07、FDP100N10
