时间：2025/6/17 16:37:22
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VJ1206A3R3BXEMT是一款由村田制作所（Murata）生产的多层陶瓷芯片电容器（MLCC）。该型号属于GRM系列，广泛应用于高频电路中，具有高可靠性和低ESR特性。其设计符合RoHS标准，适用于表面贴装技术（SMT），能够在各种消费电子、通信设备和工业控制领域中提供稳定的性能。
该型号的标称电容值为3.3pF，采用C0G介质，具有出色的温度稳定性和极低的损耗因子。
电容值：3.3pF
电压额定值：50V
尺寸：1206英寸（3.2mm x 1.6mm）
介质类型：C0G
公差：±0.25pF
工作温度范围：-55°C to +125°C
封装类型：表面贴装
DC偏压特性：不显著（适用于C0G介质）
VJ1206A3R3BXEMT采用了C0G介质，这是一种温度补偿型电介质材料，具有极高的稳定性。即使在广泛的温度范围内，其电容值的变化也非常小，变化率不超过±30ppm/°C。此外，由于其非老化特性和极低的介质损耗，该电容器非常适合用于滤波、耦合、旁路等高频应用。
这款电容器还具备优秀的抗机械应力能力，能够有效避免焊接过程中产生的热冲击对元件造成损伤。其表面贴装设计简化了装配工艺，提高了生产效率。
VJ1206A3R3BXEMT的小巧尺寸和高性能使其成为无线通信模块、射频前端电路以及精密测量仪器中的理想选择。
VJ1206A3R3BXEMT主要应用于需要高稳定性和低损耗的场景，包括但不限于以下领域：
- 射频（RF）电路中的谐振与匹配
- 滤波器设计
- 高速数据传输系统的信号完整性优化
- 精密模拟电路中的耦合与去耦
- 医疗电子设备中的关键信号处理
- 航空航天及国防领域的高可靠性需求
VJ1206A3R3BTACTU,VJ1206C3R3BXACTU
