FQP2N70 时间：2025/8/25 2:23:17 阅读：5

FQP2N70是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700V
　　最大漏极电流（Id）：2A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQP2N70具备优异的导通和开关性能，其700V的漏源电压耐受能力使其适用于高电压应用。低导通电阻（Rds(on)）确保在工作过程中功率损耗较低，从而提高系统效率。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于中等功率密度的设计。FQP2N70还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较为恶劣的环境中稳定运行。
　　FQP2N70的栅极驱动要求较低，通常在2V至4V之间即可导通，适合与多种类型的控制IC配合使用，如PWM控制器和驱动器IC。其在导通状态下的低电压降也有助于降低系统发热，提高整体能效。由于其性能稳定且封装通用，FQP2N70在电源管理和功率转换领域得到了广泛应用。