时间：2025/5/10 11:56:26
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IPB80N04S4L-04 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合用于各种高效能功率转换应用中。其耐压为 40V，适用于需要较高电流承载能力的电路环境。
这款 MOSFET 常见于开关电源（SMPS）、电机驱动器、负载切换等应用领域，能够显著降低传导损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
开关时间（典型值）：15ns
封装形式：TO-252
IPB80N04S4L-04 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，使得该器件非常适合高频应用环境。
3. 高浪涌电流能力，可以应对突发性的大电流需求。
4. 良好的热稳定性，确保长时间运行下的可靠性和安全性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持现代绿色设计理念。
6. 内部设计优化以降低寄生电感影响，从而改善电磁兼容性表现。
该 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动器，例如直流无刷电机控制。
3. 电池管理系统中的负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备内的功率控制模块。
5. 电动汽车充电设施及可再生能源相关逆变器产品。
IPW80N04S4L-04, IRFZ44N, FDP067N04L
