容量：8K x 8 位（64Kbit）
　　工作电压：3.3V或5V可选
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　数据保存电流：典型值为100nA
　　读写次数：无限次
　　数据保存时间：10年以上（使用电池）
　　访问时间：约10ns
　　封装尺寸：8mm x 13mm

FM3081TDS具备高速读写能力，访问时间仅为10ns，能够满足高性能系统的数据存取需求。
　　该芯片内置硬件写保护功能，防止在电源不稳定或系统异常时意外写入或擦除数据，从而提升数据安全性。
　　其非易失性存储机制采用锂电池供电方式，在断电情况下可保持数据完整性长达10年以上。
　　支持工业级宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的应用。
　　FM3081TDS的SRAM部分可以无限次读写，不受传统EEPROM或Flash存储器的写入次数限制，适用于频繁写入的应用场景。
　　此外，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合需要节能的应用环境。

该芯片广泛应用于工业自动化控制系统中，用于存储关键的配置信息和运行数据，确保系统在断电后仍能恢复运行。
　　在智能电表和能源管理系统中，FM3081TDS用于存储用电记录和设备状态信息，确保数据在断电情况下不丢失。
　　网络设备如路由器和交换机中常用于缓存配置文件和日志信息，支持快速恢复和故障诊断。
　　医疗设备中可用于存储患者数据和设备校准参数，确保数据安全性和系统稳定性。
　　在POS终端和支付系统中，该芯片支持交易数据的快速写入与保存，提高交易的可靠性和安全性。
　　此外，该芯片也适用于数据采集和记录设备，如环境监测仪器和车载记录仪，能够在复杂环境中稳定运行。

STK14CA8R, BBSI2865MV, NVS08SE64SH