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M29F040B90P1 发布时间 时间:2025/7/22 17:24:42 查看 阅读:4

M29F040B90P1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的8位非易失性闪存(Flash Memory)芯片,容量为4Mbit(512K x 8)。该器件属于M29F系列,广泛用于需要程序存储和数据存储的嵌入式系统中。M29F040B90P1采用标准的并行接口设计,支持高速读取和编程操作,适用于工业控制、通信设备、消费电子及汽车电子等多种应用场景。该芯片采用48引脚TSOP封装,具备良好的可靠性和稳定性,适合在工业级温度范围内工作。

参数

类型:非易失性闪存(Flash Memory)
  容量:4Mbit(512K x 8)
  电源电压:2.7V 至 3.6V
  接口类型:并行(8位)
  封装形式:48引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取访问时间:90ns
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供
  擦除块大小:单块(全片)擦除或分区擦除
  写入周期时间:100μs(典型值)

特性

M29F040B90P1是一款高性能、低功耗的闪存芯片,具备多项技术特性,能够满足复杂嵌入式系统的存储需求。其读取访问时间仅为90ns,支持快速数据访问,适用于需要高吞吐量的应用场景。该芯片支持单电压供电(2.7V至3.6V),无需额外的高电压编程电源,简化了系统电源设计,降低了功耗。M29F040B90P1集成了内部电荷泵,用于提供编程和擦除所需的高电压,进一步减少了外围电路的复杂性。
  该芯片支持字节写入和块擦除操作,写入周期时间典型值为100μs,擦除操作可选择整个芯片或特定的存储块,提高了数据管理的灵活性和效率。此外,M29F040B90P1具备高可靠性的存储单元,擦写次数可达10万次以上,数据保存时间长达10年,适用于需要频繁更新和长期存储的应用。
  封装方面,M29F040B90P1采用48引脚TSOP封装,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制、网络设备、打印机、机顶盒、游戏机等需要非易失性存储的场景。

应用

M29F040B90P1常用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、打印机固件存储、机顶盒、家用电器控制器、游戏设备以及汽车电子系统等。该芯片的高速访问能力和低功耗特性使其适用于对性能和能效有较高要求的应用场景。例如,在工业控制领域,M29F040B90P1可用于存储控制程序和关键数据;在通信设备中,可用于固件更新和配置存储;在消费电子产品中,可作为主存储芯片或辅助存储芯片,提升系统稳定性和数据安全性。

替代型号

M29F040B-90P1R M29F040B12P1 M29F040B60P1 SST39SF040

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M29F040B90P1参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 数据总线宽度8 bit
  • 存储类型NOR Flash
  • 存储容量4 Mbit
  • 结构Sectored
  • 接口类型Parallel
  • Supply Voltage - Max5.5 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 最大工作电流15 mA
  • 工作温度+ 70 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体PDIP-32
  • 封装Tube
  • 组织64 KB x 8
  • 工厂包装数量12