2SK3683 时间：2025/8/9 20:01:07 阅读：36

2SK3683是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关电源、功率放大器和DC-DC转换器等应用。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，采用高密度单元设计，具有低导通电阻和优异的高频性能，适用于要求高效率和小尺寸设计的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：300V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.0Ω（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约100pF
　　输出电容（Coss）：约15pF
　　反向传输电容（Crss）：约4.5pF

特性

2SK3683具有多项优异的电气和物理特性，适合高频功率应用。其主要特性如下：
　　1. 高频性能优异：由于其低输入电容和反向传输电容，2SK3683能够在高频条件下稳定工作，适用于高频开关电源和射频放大器等应用。
　　2. 低导通电阻：该器件的Rds(on)约为2.0Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　3. 高耐压能力：漏极-源极电压最大可达300V，使其适用于中高功率转换电路。
　　4. 热稳定性好：由于采用了先进的硅技术，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
　　5. 高可靠性：东芝在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保该器件在长期运行中具有高可靠性。
　　6. 小型化设计：TO-220封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适合紧凑型电子设备的设计需求。

应用

2SK3683广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC电源适配器、LED驱动电源等，提供高效率的功率转换。
　　2. DC-DC转换器：用于便携式电子产品、电池管理系统和车载电源系统中，实现高效的电压调节。
　　3. 射频（RF）功率放大器：适用于低功率射频发射设备，如无线通信模块、遥控器等。
　　4. 电机驱动电路：可用于小型电机控制，如风扇、泵类等设备。
　　5. 逆变器和UPS系统：作为高频开关元件，用于不间断电源和太阳能逆变器等系统中。