P9NC65FP 时间：2025/7/22 21:01:56 阅读：9

P9NC65FP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 SuperMESH 技术，优化了导通电阻和开关损耗的平衡，适用于高效率电源转换和功率管理应用。P9NC65FP 具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID @ TC=100°C）：8.7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.85Ω，最大值 1.1Ω @ VGS=10V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

P9NC65FP 采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了优异的开关性能，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。
　　该器件具有高达 650V 的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高压功率转换应用。
　　P9NC65FP 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较强的抗干扰能力，且可与常见的驱动电路兼容。
　　其导通电阻在 VGS=10V 时仅为 0.85Ω（典型值），确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
　　此外，该 MOSFET 提供高达 35A 的脉冲漏极电流能力，适合需要瞬时高电流的应用场景。
　　封装采用 TO-220FP 形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和高可靠性要求的环境。

应用

P9NC65FP 主要用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统、充电器、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻，P9NC65FP 特别适用于需要高效能、高可靠性的电源转换电路。
　　此外，该器件也可用于照明系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等应用中，作为主开关或同步整流元件使用。