时间：2025/12/27 8:13:36
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UDT1605G-AB3-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的功率转换应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热性能和电气特性，能够显著提升电源系统的整体能效。由于其无反向恢复电荷（Zero Recovery Charge）和低正向导通压降的特点，UDT1605G-AB3-R在硬开关和软开关拓扑中均表现出色，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及服务器电源等领域。该型号采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的散热能力和紧凑的外形尺寸，适合对空间和热管理要求较高的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适用于严苛的工作环境。
类型：SiC肖特基二极管
重复峰值反向电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：16A
正向压降（VF）：典型值1.45V @ 16A, 25°C
最大结温（TJ）：175°C
反向漏电流（IR）：典型值250μA @ 650V, 25°C
热阻（RθJC）：约1.2°C/W
封装形式：TO-252 (D-Pak)
安装方式：表面贴装
UDT1605G-AB3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其在高温、高压和高频工作条件下依然保持优异性能。传统硅基二极管在高频开关过程中存在明显的反向恢复电荷（Qrr），导致较大的开关损耗和电磁干扰，而UDT1605G-AB3-R作为SiC肖特基二极管，完全没有PN结，因此不存在少数载流子存储效应，也就没有反向恢复过程，从根本上消除了Qrr问题。这一特性极大降低了开关损耗，提高了系统效率，尤其在升压PFC（功率因数校正）、LLC谐振转换器和图腾柱PFC等高频拓扑中效果显著。
该器件的正向导通压降（VF）在16A电流下仅为1.45V左右，在同类产品中处于领先水平，有助于降低导通损耗，减少发热。同时，其最大可承受结温高达175°C，配合低热阻的TO-252封装，使得器件在高负载条件下仍能稳定运行。良好的热稳定性也意味着可以减少散热器尺寸或提高功率密度，有利于实现更紧凑的电源设计。
UDT1605G-AB3-R还具备出色的动态性能和抗浪涌能力，能够承受瞬时过电流冲击，增强了系统的鲁棒性。其表面贴装封装形式便于自动化生产，提升了制造效率，并支持回流焊工艺。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的耐受能力，减少了误触发风险，在EMI敏感的应用中表现更佳。综合来看，UDT1605G-AB3-R是一款面向下一代高效电源系统的理想选择，尤其适合追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子设计。
UDT1605G-AB3-R广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其是在需要提升能效和减小体积的场合。典型应用包括通信电源、服务器PSU、工业电机驱动中的续流与箝位电路、光伏（PV）逆变器中的输出整流级、电动车车载充电机（OBC）以及DC-DC变换器中的同步整流替代方案。在图腾柱PFC拓扑中，该器件常被用作主整流臂，因其无反向恢复特性可大幅降低开关损耗，从而实现超过99%的PFC级效率。此外，它也被用于UPS不间断电源、焊接设备和高密度适配器等对热管理和效率要求严苛的产品中。得益于其高结温和良好热性能，即使在通风受限或高温环境下也能稳定工作，因此特别适合户外或封闭式电源设计。
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"UDT1605G-AB3",
"UF3C_1605KHT",
"SCH2080KE-E3"
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