CS18N50FA9R-G 时间：2025/8/1 16:46:56 阅读：18

CS18N50FA9R-G是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和高耐压能力的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等高性能功率电子设备。CS18N50FA9R-G采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：18A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大栅极电压（Vgss）：±30V
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-220

特性

CS18N50FA9R-G采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压输入环境，例如AC/DC转换器和工业电源设备。CS18N50FA9R-G的高开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，同时降低电磁干扰（EMI）。该器件的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。CS18N50FA9R-G还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了器件在极端工况下的稳定性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计。
　　CS18N50FA9R-G在设计上优化了热阻性能，使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了系统的长期可靠性和寿命。该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的应用场合。在汽车电子领域，CS18N50FA9R-G能够满足AEC-Q101标准，适用于车载电源系统和电动车辆的功率管理模块。

应用

CS18N50FA9R-G适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS不间断电源、光伏逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率转换模块，如车载充电器和电动车辆的电源管理系统。