HY62WT081ED 时间：2025/9/2 19:24:03 阅读：19

HY62WT081ED 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。HY62WT081ED 的容量为8 Mbit（1 Meg x 8），工作电压为2.3V至3.6V，支持异步操作，广泛用于网络设备、工业控制、嵌入式系统以及各种高性能数据存储应用。

参数

容量：8 Mbit (1 Meg x 8)
　　组织结构：x8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55 ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　封装尺寸：54-TSOP
　　最大工作频率：约18 MHz
　　输入/输出电平：CMOS 兼容
　　数据保持电压：最低2V
　　待机电流：典型值 10 mA（最大100 mA）
　　工作电流：典型值 180 mA（最大300 mA）

特性

HY62WT081ED 是一款高性能异步SRAM芯片，具有出色的低功耗和高速访问能力。其主要特性包括宽电压范围（2.3V至3.6V），这使得它适用于多种电源管理方案，并能与不同电压等级的控制器兼容。该芯片的访问时间为55ns，能够满足大多数高速数据处理应用的需求。此外，它的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适合在恶劣环境中运行。
　　该SRAM芯片支持CMOS兼容输入/输出电平，确保了与其他逻辑电路的无缝连接。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，典型值仅为10mA，有助于降低系统整体功耗。在工作状态下，其典型电流为180mA，最大不超过300mA，表现出良好的能效比。
　　HY62WT081ED 采用54引脚TSOP封装，具有较高的集成度和良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。它的数据保持电压最低为2V，即使在电压下降的情况下也能保持数据完整性，适用于需要可靠数据存储的应用场景。