时间：2025/9/2 19:24:03
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HY62WT081ED 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。HY62WT081ED 的容量为8 Mbit（1 Meg x 8），工作电压为2.3V至3.6V，支持异步操作，广泛用于网络设备、工业控制、嵌入式系统以及各种高性能数据存储应用。
容量：8 Mbit (1 Meg x 8)
组织结构：x8
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：55 ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
封装尺寸：54-TSOP
最大工作频率：约18 MHz
输入/输出电平：CMOS 兼容
数据保持电压：最低2V
待机电流：典型值 10 mA（最大100 mA）
工作电流：典型值 180 mA（最大300 mA）
HY62WT081ED 是一款高性能异步SRAM芯片，具有出色的低功耗和高速访问能力。其主要特性包括宽电压范围（2.3V至3.6V），这使得它适用于多种电源管理方案，并能与不同电压等级的控制器兼容。该芯片的访问时间为55ns，能够满足大多数高速数据处理应用的需求。此外，它的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适合在恶劣环境中运行。
该SRAM芯片支持CMOS兼容输入/输出电平，确保了与其他逻辑电路的无缝连接。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，典型值仅为10mA，有助于降低系统整体功耗。在工作状态下，其典型电流为180mA，最大不超过300mA，表现出良好的能效比。
HY62WT081ED 采用54引脚TSOP封装，具有较高的集成度和良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。它的数据保持电压最低为2V，即使在电压下降的情况下也能保持数据完整性，适用于需要可靠数据存储的应用场景。
HY62WT081ED 广泛应用于需要高速、低功耗数据存储的场合，如网络路由器、交换机、工业控制设备、嵌入式系统、图像处理模块、通信基站以及测试测量设备。其高可靠性和宽温范围特性也使其适用于户外或工业环境中的关键系统存储。
CY62148EDE, AS7C31026C, IS61LV25616A
