时间：2025/6/16 20:00:29
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GA0603A3R3BXBAC31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够实现卓越的开关性能和低损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动以及射频放大器等场景。
其核心优势在于利用了氮化镓材料的高电子迁移率和高击穿电压特性，从而提供比传统硅基功率晶体管更优的性能表现。
型号：GA0603A3R3BXBAC31G
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN)
导通电阻：3.3 mΩ 典型值
漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流：35 A
栅极电荷：95 nC 最大值
输出电容：1250 pF 典型值
开关频率：高达 5 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：BAC31G
GA0603A3R3BXBAC31G 的主要特性包括：
1. 高效的开关性能，支持高频应用，降低磁性元件体积和系统成本。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，从而显著减少传导和开关损耗。
3. 快速开关速度，支持高达 5 MHz 的工作频率，适合高频 DC-DC 转换器。
4. 内置 ESD 保护功能，提高可靠性。
5. 氮化镓技术带来的高功率密度和小尺寸封装，非常适合空间受限的应用。
6. 支持硬开关和软开关拓扑结构，灵活性强。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 服务器和通信设备中的电源模块。
3. 工业级电机驱动和逆变器。
4. 光伏逆变器和其他可再生能源应用。
5. 射频功率放大器及无线能量传输系统。
6. 笔记本电脑适配器、快充头以及其他消费类电子产品的电源管理方案。
GAN063-650WSA
GAN71-E8
IRGB14E24CPBF
