时间：2025/10/6 22:29:42
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UPT2D681MRD是一款由优恩半导体（UNSEM）推出的瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）的影响而设计。该器件属于表面贴装型TVS二极管，采用高效率的封装形式，能够在极短时间内响应过压脉冲，并将电压钳位在安全水平，从而有效保护下游电路。UPT2D681MRD的标称击穿电压为68V，最大反向关断电压为61.2V，能够承受高达2000W的峰值脉冲功率（按照8/20μs电流波形测试），适用于多种工业、消费类及通信类电子产品的电源线或信号线保护场景。该器件具有低动态电阻、快速响应时间（通常小于1纳秒）以及高能量吸收能力等特点，确保在恶劣电磁环境下仍能提供稳定可靠的保护性能。此外，UPT2D681MRD符合RoHS环保要求，适合自动化贴片生产流程，在现代电子产品中广泛用于接口保护、电源模块防护和信号线路防浪涌等领域。
器件型号：UPT2D681MRD
器件类型：TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）
封装形式：SMA（DO-214AC）
极性结构：单向
标称击穿电压(VBR)：68V @ 1mA
最大反向工作电压(VRWM)：61.2V
最小击穿电压：64.6V
最大钳位电压(VC)：93.6V @ IPP=21.35A
峰值脉冲电流(IPP)：21.35A（基于8/20μs波形）
峰值脉冲功率(PPPM)：2000W
漏电流(IR)：≤1μA @ VRWM
响应时间：＜1ns
工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
引脚数量：2
安装方式：表面贴装（SMD）
UPT2D681MRD具备卓越的瞬态过电压防护能力，其核心优势在于高功率承受能力和快速响应机制。该TVS二极管采用先进的硅结技术制造，能够在电压超过其击穿阈值时迅速从高阻态转变为低阻态，将瞬态能量通过自身泄放至地，从而将线路电压钳制在设备可承受的安全范围内。其2000W的峰值脉冲功率容量意味着它能有效应对高强度的电气瞬变事件，例如工业环境中的开关电感噪声或通信端口遭遇的静电冲击。由于其单向结构设计，UPT2D681MRD特别适用于直流电源线路的保护，比如DC适配器输出端、电池供电系统或车载电子模块，避免因反接或瞬态反压造成损害。
该器件的低漏电流特性（≤1μA）保证了在正常工作电压下几乎不产生额外功耗，不会对系统运行造成干扰，尤其适合低功耗或高精度模拟电路的应用场景。同时，其稳定的击穿电压容差控制在±10%以内，确保批次间一致性良好，提升整机生产的良品率和可靠性。SMA封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，有助于在多次浪涌冲击后维持性能稳定。此外，UPT2D681MRD通过了IEC61000-4-2、IEC61000-4-4和IEC61000-4-5等多项国际电磁兼容标准认证，支持系统通过EMC测试，广泛应用于严苛的工业与车载环境中。
另一个关键特性是其优异的循环耐久性，能够承受数千次的额定浪涌冲击而不发生性能退化，延长了终端产品的使用寿命。其结温范围宽达-55℃至+150℃，可在极端高低温条件下可靠工作，适用于户外设备、汽车电子或工业控制系统等复杂工况。整体而言，UPT2D681MRD是一款高性能、高可靠性的TVS解决方案，兼顾保护能力、热稳定性与工艺兼容性，是现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。
UPT2D681MRD主要用于各类需要抵御瞬态过电压威胁的电子系统中。典型应用场景包括直流电源输入端口的过压保护，例如工业电源模块、交换式电源供应器（SMPS）、直流配电单元等，在这些场合中，电网波动、负载突变或雷击感应可能引发瞬态高压，使用该TVS可有效防止后级稳压IC、MCU或其他敏感器件损坏。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车充电接口等高能量系统中，作为初级浪涌防护器件。
在通信与接口保护方面，UPT2D681MRD可用于RS-485、CAN总线、Modbus等工业通信线路的保护，防止因长距离布线引入的电磁干扰或接地电位差导致的电压尖峰。在汽车电子领域，该器件可部署于车载娱乐系统、ECU供电线路或传感器电源轨上，满足AEC-Q101可靠性标准要求（若通过认证），提升整车电磁抗扰度。消费类电子产品如智能家电、路由器、监控摄像头等，也可利用其紧凑封装和高效保护能力实现成本与性能的平衡。
另外，UPT2D681MRD还可作为辅助保护器件与压敏电阻（MOV）或气体放电管（GDT）组成多级保护电路，发挥其快速响应的优势，承担精细钳位任务，而前端粗保护则由MOV吸收大部分能量，从而构建更全面的浪涌防护体系。总之，该器件适用于任何存在电气瞬变风险的直流电压系统，尤其是在要求高可靠性、小体积和自动化生产的应用中表现出色。
TPSMAJ68A
