时间：2025/9/14 17:49:29
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PNE20020ERX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等应用场景。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
功率耗散（Ptot）：40W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极阈值电压：2V 至 4V
漏源击穿电压：200V
PNE20020ERX 具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽栅极技术，确保了稳定的开关行为和较低的开关损耗。此外，其高电流处理能力使其适用于高负载应用，如电机控制和电源管理。
该MOSFET的TO-220封装不仅提供了良好的热管理性能，还便于在各种电路板设计中进行安装和散热。其高耐压能力（200V）使其适用于中高电压的功率转换应用，确保在各种工作条件下都能稳定运行。
此外，PNE20020ERX 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端工作环境下保持可靠运行。其栅极阈值电压范围（2V至4V）使其能够与多种驱动电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。
PNE20020ERX 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统以及家用电器中的电源管理模块。
在DC-DC转换器中，该器件用于高效的电压转换，提高整体系统的能效；在电机控制应用中，它可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制；在电源管理系统中，该MOSFET可用于实现高效的能量分配和管理。
由于其高耐压能力和良好的热稳定性，PNE20020ERX 也适用于需要较高可靠性的工业和汽车电子系统，如车载充电系统和车载电源转换模块。
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"STP15NK20Z",
"IRF2807",
"FDP20N20"
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