类型：DDR2 SDRAM
　　密度：1 Gb（128M x 16）
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　数据速率：333 Mbps（DDR2-667）
　　时序参数：CL = 5（典型值）
　　封装：84-ball FBGA (9mm x 13mm)
　　组织结构：16 banks x 8M words x 16 bits
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
　　接口标准：SSTL_18
　　最大时钟频率：166.67 MHz（有效数据速率 333 MHz）
　　最小周期时间（tCK）：6 ns
　　突发长度：4 或 8（可通过模式寄存器设置）
　　内部预充电支持：有
　　写入延迟（CWL）：3
　　bank 切换能力：支持快速 bank 间切换以提高效率

MT47H64M16HR-3AAT:H 采用先进的 CMOS 工艺制造，具备低功耗、高可靠性的特点，特别适合长时间运行的嵌入式系统应用。其核心架构基于 DDR2 技术，通过双倍数据率传输机制，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均传输数据，从而显著提升数据吞吐能力。该器件拥有 1Gbit 的总存储容量，组织方式为 16 banks × 8M words × 16 bits，即所谓的 'x16' 架构，适合需要较宽数据总线的设计，可减少地址多路复用开销并简化控制器逻辑。器件支持多种电源管理功能，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）以及温度补偿自刷新（TCSR），其中 TCSR 能根据环境温度动态调整刷新周期，在高温环境下增加刷新频率以防数据丢失，在低温时降低频率以节省功耗，极大提升了内存子系统的能效比与稳定性。
　　该芯片采用 84-ball FBGA 封装，引脚间距小、体积紧凑，适用于空间受限的应用场景，同时具有优良的热传导性能和信号完整性表现。所有输入输出接口均符合 SSTL_18（Stub Series Terminated Logic - 1.8V）电平标准，确保与主流处理器和 FPGA 的良好兼容性。器件内部集成了可编程模式寄存器（Mode Register），允许用户配置突发长度、突发类型（顺序或交错）、CAS 延迟（CL）、写入突发模式等关键操作参数，增强了系统设计灵活性。此外，它还支持 Bank Interleaving 和 Page Bursting 等高级访问模式，能够有效提升连续读写性能，尤其在视频处理、网络包缓冲等大数据流场景中表现出色。
　　MT47H64M16HR-3AAT:H 具备严格的时序控制机制，关键参数如 tRCD（行到列延迟）、tRP（行预充电时间）、tRAS（行激活时间）等均已优化，可在保证稳定性的同时实现较高的访问速度。器件经过严格测试，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定工作，适用于恶劣环境下的长期部署。Micron 对该系列产品提供长期供货承诺，使其成为工业自动化、通信基础设施等生命周期较长项目的理想选择。整体而言，该芯片在性能、功耗、可靠性之间实现了良好平衡，是 DDR2 时代极具代表性的通用型 SDRAM 器件之一。

MT47H64M16HR-3AAT:H 主要应用于需要中等容量、高性能且稳定可靠的内存解决方案的各种电子系统中。常见用途包括宽带接入设备如 ADSL 路由器、光纤网关、家庭网关等网络通信设备；企业级与运营商级交换机、路由器中的数据包缓存和临时存储单元；数字机顶盒、IPTV 设备、媒体播放器等消费类视听产品中的图形与音视频缓冲；工业控制主板、人机界面（HMI）、PLC 控制器等工业自动化设备中的程序运行内存；安防监控系统的 DVR/NVR 主控板中用于视频流处理和帧缓存；以及部分嵌入式 DSP 系统、FPGA 加速卡、测试测量仪器等专业设备。由于其支持工业级温度范围和多种节能模式，也常用于户外部署或无风扇散热设计的产品中。此外，该芯片还可作为许多基于 ARM、Power Architecture 或 MIPS 架构处理器系统的外部主存，配合 SoC 实现更灵活的内存扩展方案。虽然目前主流趋势已向 DDR3/DDR4/LPDDR 迁移，但在维护现有产线、替代老旧设备或成本敏感型项目中，MT47H64M16HR-3AAT:H 仍具有重要价值。

MT47H64M16HR-3:H
　　MT47H64M16HT-3:A
　　MT47H64M16HR-25E:H
　　IS43TR16256AL-6BLI