工作电压范围：8.4 V 至 21 V
　　启动电流：< 50 μA
　　最大漏极电压：725 V
　　输出电流驱动能力：典型值 230 mA
　　开关频率：可变，典型峰值 132 kHz
　　反馈类型：光耦反馈（次级侧调节）
　　封装形式：DIP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　集成MOSFET导通电阻：典型值 9 Ω
　　控制模式：多模式准谐振（QR）与CCM/DCM混合控制
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　待机功耗：< 30 mW（典型应用）
　　效率：> 80%（满载条件下）

PCD3326P的核心特性之一是其高度集成的架构，将高压功率MOSFET、PWM控制器、保护电路和启动电路集成于单一封装内，极大简化了反激式电源设计的复杂性。这种集成不仅减少了PCB面积需求，还提升了系统的可靠性和生产良率。该芯片采用多模式准谐振控制技术，在轻载和中等负载条件下自动进入断续导通模式（DCM）或临界导通模式（BCM），以降低开关损耗并提高效率；而在重载时则切换至连续导通模式（CCM），确保稳定的输出调节。这种智能模式切换机制使得PCD3326P在全负载范围内都能保持高效运行，特别适用于需要高能效和低待机功耗的应用场景。
　　另一个关键特性是其优异的动态响应能力和精确的输出电压调节。通过光耦反馈实现次级侧电压检测，PCD3326P能够实现±5%以内的输出电压精度，并具备良好的负载调整率和线路调整率。内部集成了软启动功能，有效抑制开机时的浪涌电流，延长系统寿命。此外，芯片具备完善的保护机制，包括自动恢复模式的过载保护、锁存或自动复位的过温保护、以及防止误触发的前沿消隐电路，这些功能共同保障了电源系统在恶劣工况下的稳定性和安全性。
　　PCD3326P还支持宽输入电压范围操作，适用于全球通用的交流输入（85 VAC 至 265 VAC），使其成为出口型电子产品的理想选择。其低启动电流设计显著缩短了启动时间，同时降低了待机功耗，满足最严格的能源法规要求。DIP-8封装便于散热设计和手工焊接，适合中小批量生产和维修替换。总体而言，PCD3326P凭借其高性能、高集成度和高可靠性，已成为现代低功率离线电源设计中的主流解决方案之一。

PCD3326P广泛应用于各类低功率离线式开关电源中，尤其适用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源系统。典型应用包括手机充电器、USB适配器、智能家居网关、无线路由器、机顶盒、小型家电控制器、工业传感器供电模块以及楼宇自动化设备的辅助电源。由于其出色的待机性能和符合国际能效标准的能力，该芯片也常用于绿色能源产品和环保认证项目中。此外，PCD3326P还可用于LED照明驱动电源，特别是在非隔离式恒压输出应用中表现优异。其 robust 的保护机制和宽温工作能力使其适用于工业环境下的远程监控设备和嵌入式控制系统。在医疗设备领域，经过适当绝缘设计后，也可用于低功率诊断仪器的内部电源模块。总之，任何需要将交流市电转换为稳定直流电压且功率在3W至30W之间的应用场景，都是PCD3326P的理想使用场合。

LNK3326P