HY27UA082G2M-TPIB是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的NAND闪存芯片,广泛用于需要高存储密度和高性能的应用场景。这款芯片具有2Gbit的存储容量,采用8位I/O接口,适用于各种嵌入式系统和便携式设备。其设计注重低功耗和高可靠性,适合长时间运行的设备使用。
制造商:SK Hynix
产品类型:NAND闪存
存储容量:2Gbit
接口类型:8位I/O
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
电源电压:2.7V至3.6V
读取速度:最大50MB/s
写入速度:最大20MB/s
擦除时间:最大3ms(块)
块大小:16KB(数据区)+ 512B(冗余区)
耐用性:10万次擦写周期
数据保持时间:10年
HY27UA082G2M-TPIB作为一款高性能NAND闪存芯片,具备多种优良特性。其2Gbit的存储容量非常适合用于存储操作系统、应用程序和用户数据。8位I/O接口提供了高效的数据传输能力,支持快速的读写操作。该芯片采用TSOP封装,具有良好的机械稳定性和热稳定性,适合在各种环境条件下使用。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在极端温度下的可靠运行。电源电压范围为2.7V至3.6V,使其能够兼容多种电源管理系统。读取速度最高可达50MB/s,写入速度最高可达20MB/s,满足了大多数嵌入式应用的需求。
每个块的大小为16KB(数据区)加上512B(冗余区),提供了良好的存储管理灵活性。该芯片的耐用性为10万次擦写周期,确保了长期使用的可靠性。数据保持时间长达10年,即使在断电情况下也能保证数据的安全性。
此外,HY27UA082G2M-TPIB还具备错误校正码(ECC)功能,能够检测和纠正数据错误,提高数据完整性。其内置的坏块管理功能有助于自动识别和隔离损坏的存储块,进一步提高了系统的可靠性。
HY27UA082G2M-TPIB广泛应用于各种嵌入式系统和便携式设备中,如智能手机、平板电脑、数字相机、MP3播放器、GPS导航设备和工业控制系统。由于其高存储容量和低功耗特性,该芯片也常用于物联网(IoT)设备和可穿戴设备中。
在智能手机和平板电脑中,HY27UA082G2M-TPIB用于存储操作系统、应用程序和用户数据,提供快速的数据访问和可靠的存储性能。在数字相机和MP3播放器中,该芯片用于存储照片、视频和音频文件,支持快速的文件读写操作。
在工业控制系统中,HY27UA082G2M-TPIB用于存储控制程序和数据记录,确保系统的稳定运行。在物联网设备和可穿戴设备中,该芯片的低功耗特性有助于延长设备的电池寿命。
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