类型：DDR2 SDRAM
　　密度：1 Gb
　　组织结构：256M x 4
　　封装：80-ball TFBGA (9mm x 13mm)
　　电源电压：1.8V ±0.1V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：333 MHz
　　数据速率：667 Mbps (DDR2-667)
　　CAS 延迟（CL）：3
　　引脚数：80
　　工艺技术：深层 trench 电容技术
　　JEDEC 标准兼容性：符合 DDR2 SDRAM 规范
　　封装厚度：1.0mm 典型值
　　存储周期时间：最小6ns
　　突发模式：支持突发长度4和8
　　内部Bank数量：4
　　预充电方式：自动/独立预充电
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新、温度补偿自刷新
　　输出驱动阻抗：支持片上终端（ODT）
　　时钟模式：差分时钟（CK/!CK）输入
　　数据选通信号：DQS/DQSO 用于源同步数据捕获

MT47H256M4HQ-3:E 具备多项先进特性，使其在中高端嵌入式和工业应用中表现出色。首先，该芯片采用1.8V单电源供电，显著降低了功耗，相比传统的DDR内存更加节能，适合对热管理和能效有较高要求的系统设计。其内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据环境温度动态调整刷新速率，在高温下增加刷新频率以保证数据保持，在低温下降低刷新频率从而节省功耗，这一机制极大提升了系统的能效比与稳定性。
　　其次，该器件支持片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写操作期间启用内部终端匹配，有效减少信号反射和噪声干扰，提高高速信号传输的完整性，尤其在高密度PCB布线或多负载拓扑中优势明显。此外，差分时钟输入（CK/!CK）架构增强了时钟信号的抗干扰能力，确保在高频工作下的精确同步与时序控制。
　　MT47H256M4HQ-3:E 还具备灵活的突发访问模式，支持突发长度为4或8的连续数据传输，用户可通过模式寄存器进行配置，适应不同应用场景下的带宽与延迟需求。其四bank交错式架构允许在一个bank执行刷新或预充电的同时，其他bank继续进行读写操作，提高了内存利用率和系统响应速度。同时，该芯片支持自动预充电和独立预充电两种模式，可在每次突发访问结束后自动关闭行地址，简化控制器设计逻辑。
　　另外，该器件通过了严格的工业级温度认证（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下长期稳定运行，适用于户外通信设备、车载电子、工业自动化等严苛应用场景。美光还为其提供了长期供货保障和技术支持，进一步增强了其在工业市场中的竞争力。最后，该芯片遵循JEDEC标准，确保与其他主流DDR2控制器的良好兼容性，并便于系统升级与维护。

MT47H256M4HQ-3:E 主要应用于需要可靠、高效且具备一定容量扩展能力的中高端嵌入式系统。典型应用领域包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和基站控制器，这些设备通常需要快速响应和大量临时数据缓存，而该芯片提供的667Mbps数据速率和低延迟特性正好满足此类需求。在工业控制系统中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制平台，MT47H256M4HQ-3:E 能够在宽温环境下稳定运行，确保关键任务的持续执行。
　　此外，该芯片也广泛用于数字视频监控系统（DVR/NVR）、IP摄像头和多媒体处理设备中，作为图像帧缓冲或编码中间存储使用，其高带宽和低功耗特性有助于实现流畅的视频流处理和长时间录制。在消费类电子产品方面，如智能电视、机顶盒和游戏终端，该芯片同样可以胜任图形渲染和应用程序运行所需的内存支持。
　　由于其TFBGA小型化封装设计，MT47H256M4HQ-3:E 非常适合空间受限的便携式或紧凑型设备，例如手持测试仪器、医疗监测设备和车载信息娱乐系统。在通信模块和无线接入点中，它常被用作协议栈处理和数据包缓冲的主存单元。同时，得益于其工业级温度范围和高可靠性，该器件也被用于轨道交通、能源监控和航空航天地面设备等关键领域。
　　总体而言，MT47H256M4HQ-3:E 凭借其稳定的性能、广泛的环境适应性和成熟的生态系统，成为许多中等密度内存需求场景下的理想选择，尤其是在那些强调长期可用性和系统稳定性的项目中具有显著优势。

MT47H256M4HG-3:E
　　MT47H256M4HA-3:E
　　IS42S25616F-6BLI
　　K4T1G084QE-GCJ8
　　EM63A165TS-3G