时间：2025/10/7 22:36:19
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UPS1E100MDD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等高效率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备低导通电阻和优异的开关性能，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力与热稳定性。其设计目标是为便携式设备、消费类电子产品及工业控制装置提供高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案。UPS1E100MDD的额定电压为25V，适用于低电压供电环境下的同步整流、电池供电系统中的电源切换以及其他需要快速响应和低损耗的应用场景。该器件通常采用小型化表面贴装封装（如DFN或SOP），有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，在实际应用中表现出较高的鲁棒性与可靠性。由于其出色的电气特性和封装优势，UPS1E100MDD在现代高密度电子设计中被广泛采用，并成为许多设计师在低压大电流开关应用中的首选之一。
型号：UPS1E100MDD
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：25V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：4.2A（@Tc=75℃）
脉冲漏极电流(ID_pulse)：16.8A
导通电阻(RDS(on))：34mΩ（@VGS=4.5V）
导通电阻(RDS(on))：42mΩ（@VGS=2.5V）
阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
输入电容(Ciss)：420pF（@VDS=10V）
输出电容(Coss)：120pF（@VDS=10V）
反向恢复时间(trr)：9ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装类型：DFN1010-6
UPS1E100MDD具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类低压N沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整个系统的能效表现，尤其是在大电流工作的条件下，这种低阻特性可以有效减少发热，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。其次，该器件支持较低的栅极驱动电压，可在2.5V至4.5V范围内正常工作，这使得它非常适合用于由锂电池供电的便携式设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，这些系统通常采用3.3V或更低的逻辑电平进行控制，无需额外升压电路即可直接驱动该MOSFET。此外，其快速的开关速度和较小的寄生电容（如Ciss和Coss）确保了在高频开关应用中具有优异的动态响应能力，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC转换器拓扑结构。
另一个关键特性是其采用的DFN1010-6小型封装，具有极小的占板面积（约1mm x 1mm），同时通过底部散热焊盘实现良好的热传导性能，便于将热量传递至PCB上的接地层或散热区域，从而提高功率密度而不牺牲热管理效果。这种封装形式不仅有利于自动化贴片生产，还能满足现代电子产品对微型化和轻薄化的设计需求。此外，该器件具有较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境温度下稳定运行，增强了其在工业级应用中的适应性。内置的体二极管也经过优化设计，具备较短的反向恢复时间（trr=9ns），减少了在续流过程中产生的开关损耗和电磁干扰（EMI），进一步提升了系统效率。最后，该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101等可靠性认证，适用于汽车电子等高要求领域。综合来看，UPS1E100MDD凭借其高性能、小尺寸、低功耗和高可靠性，成为现代低电压功率开关应用中的理想选择。
UPS1E100MDD主要应用于需要高效、小型化和低电压操作的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如在智能手机、平板电脑和智能手表中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护。在DC-DC转换器电路中，该器件常被用作同步整流器，替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和能量损耗，从而提升转换效率，特别是在降压型（Buck）变换器中表现尤为突出。此外，它也可用于电池供电系统的电源切换与反向电流阻断，防止电池在待机或故障状态下发生不必要的放电。在电机驱动、LED驱动电源以及各类嵌入式控制系统中，UPS1E100MDD因其快速响应能力和低静态功耗而被广泛采用。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件同样适用于工业传感器、IoT节点设备以及汽车电子中的辅助电源模块。总之，凡是在25V以下电压环境中需要实现高效、紧凑型功率控制的场合，UPS1E100MDD均能提供可靠的技术支持和性能保障。
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"RJK03B5DPB-00#HBE",
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