时间：2025/6/19 10:42:23
阅读：3
FN15N1R8B500PNG是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型设计。该器件主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低功耗的应用场景。其额定电压高达500V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻，以减少能量损耗。
FN15N1R8B500PNG的设计目标是提供卓越的性能，特别是在高频开关应用中表现优异。此外，它采用了标准的TO-220封装形式，便于散热管理及安装。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
栅源电压：±20V
导通电阻：1.8Ω
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FN15N1R8B500PNG具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：额定500V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为1.8Ω，显著降低导通损耗。
3. 快速开关能力：具备短的开关时间和低电荷特性，适合高频开关电路。
4. 热稳定性：支持最高结温150℃，确保高温环境下的可靠运行。
5. TO-220封装：标准封装形式，易于集成到各种电路设计中。
6. 静电防护能力：内置ESD保护机制，提升整体可靠性。
这些特性使FN15N1R8B500PNG成为高效能功率转换和控制应用的理想选择。
FN15N1R8B500PNG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括离线式适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器：用于工业设备中的电压调节模块。
3. 电机驱动：如家用电器、电动车的电机控制器。
4. 逆变器：光伏逆变器和其他电力电子变换设备。
5. 负载切换：为汽车电子系统提供可靠的负载切换功能。
由于其高电压和大电流承载能力，FN15N1R8B500PNG非常适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
IRF540N, STP16NF50, FQP17N50
