时间：2025/7/5 0:22:15
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DMN2028UVT-7 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 Microsemi 的 U 超薄封装技术制造。该器件以其低导通电阻和高开关速度而著称，广泛应用于各种需要高效功率管理的场合。
此 MOSFET 适用于要求快速切换和低功耗的应用领域，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
栅极阈值电压：1.4V
总功耗：2.2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DSO-N3-U
DMN2028UVT-7 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著减少导通损耗，从而提高整体效率。
此外，其逻辑电平兼容性使得它可以在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，非常适合电池供电设备和其他低压应用。
由于采用了先进的封装技术，该器件还具备出色的热性能和紧凑的设计，适合空间受限的电路。
同时，它也具有较高的雪崩能力和 ESD 保护能力，增强了在恶劣环境中的可靠性。
DMN2028UVT-7 主要用于电源管理相关应用，例如降压或升压转换器中的开关元件。
它可以作为负载开关使用，以实现对不同电路模块的精确控制。
此外，该器件还适用于小型电机驱动、LED 驱动以及便携式电子设备中的其他功率控制场景。
凭借其快速的开关特性和低损耗特点，DMN2028UVT-7 在高频开关应用中表现尤为出色。
DMN2029UVT-7
DMN2030UVT-7
