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STW40NF20 发布时间 时间:2025/7/22 22:46:59 查看 阅读:7

STW40NF20是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高功率和高频开关应用,具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。其主要设计目标是为电源转换器、马达驱动器、DC-DC转换器以及各种工业和消费类电子设备提供高效、可靠的开关解决方案。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):200V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID)@25°C:40A
  漏极电流(ID)@100°C:25A
  导通电阻(RDS(on)):最大55mΩ @VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-247AC
  功耗(PD):200W

特性

STW40NF20具有多项优异的电气和热性能特性,适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
  首先,该器件的导通电阻(RDS(on))非常低,通常在55mΩ以下,这使得在导通状态下功率损耗最小化,提高了整体系统的效率。这对于需要高能效的电源系统(如服务器电源、电池充电器、UPS系统)尤为重要。
  其次,STW40NF20的漏源电压额定值为200V,能够承受较高的电压应力,适用于多种高压开关应用。其栅源电压额定值为±30V,具有较强的抗过压能力,能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
  该器件的最大漏极电流在25°C时为40A,在100°C时仍可达25A,显示出良好的温度稳定性和电流承载能力。此外,其TO-247AC封装结构具备良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性和寿命。
  STW40NF20还具备快速开关特性,能够实现高频工作,适用于要求快速响应的DC-DC转换器和逆变器等应用。其高耐雪崩能力和抗短路能力也增强了其在严苛工况下的适用性。
  最后,该MOSFET具有较高的热阻(Rth(j-c))约0.625°C/W,使得在高功率工作状态下能够有效控制温度上升,从而提高整体系统的稳定性和可靠性。

应用

STW40NF20广泛应用于多种功率电子系统中,包括:
  1. 电源供应器:如AC-DC转换器、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和电池充电器等,用于高效率的功率转换。
  2. 电机驱动器:在电动工具、工业自动化和家用电器中作为高效功率开关,控制电机的启停和速度调节。
  3. DC-DC转换器:如升压(Boost)、降压(Buck)和隔离型转换器,适用于电动汽车、太阳能逆变器和储能系统。
  4. 逆变器和变频器:在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和工业变频器中用于将直流电转换为交流电。
  5. 高功率LED驱动器:用于大功率照明系统的电源管理,提供稳定的电流控制。
  6. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中用于电池充放电管理,确保电池组的安全和高效运行。

替代型号

STW40NF20的替代型号包括:STW40NK、STW40NM20、IRF460、IRF450、IXFN44N20T

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STW40NF20参数

  • 其它有关文件STW40NF20 View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-5807-5